Эвтектическая установка для компоновки электронных блоков NOVA Pro

для крепления кристаллаперевернутый кристаллэпоксидная

Обзор продукта NOVA Pro от ASMPT AMICRA — система для die‑bond и flip‑chip сборки, обеспечивающая высокоточную установку компонентов. Обеспечивает точность позиционирования ±1,0 µm @ 3σ и поддерживает бондинг при температурах выше 350°C с применением высоких сил. Система включает динамическое выравнивание и лазерный нагрев подложки, поддерживает термокомпрессию (TCB) и процессы, связанные с TSV.

Применения / Рынки

• Оптоэлектроника
• Кремниевая фотоника
• Сборка VCSEL и лазерных диодов
• Сборка фотодиодов
• Крепление линз с UV‑отверждаемыми клеями
• Сборки Active Optical Cable (AOC)
• Трансиверные пакеты
• Flip Chip
• 3D IC / 2.5D IC
• Термокомпрессионное бондинг (TCB)
• Процессы Through‑Silicon Via (TSV)
• Chip on Chip, Chip on Wafer, Chip on Substrate
• Multi‑Chip Module (MCM)
• Эпоксидный die attach для advanced packaging
• Евтектический in‑situ die attach
• Die attach для MEMS и сенсоров
• WLP / eWLP

Ключевые характеристики

• Высокоточный die‑bonder / flip‑chip‑bonder
• Точность позиционирования: ±1,0 µm @ 3σ
• Возможность бондинга при температурах > 350°C и при высоких силах
• Время цикла < 3 с
• Модульная конструкция машины для микро‑сборки
• Евтектическое бондинг с помощью диодного лазера, нагревательной пластины или штамповки/дозирования эпоксидов
• Поддержка многократного flip‑chip‑bonding
• Картирование wafer
• Инспекция и измерения после бондинга
• Активное управление силой бондинга
• Динамический метод выравнивания и лазерный нагрев подложки

Автоподача

• Поддержка wafer до 12"
• 300 mm wafer
• 450 mm substrate wafer

Опции

• UV‑отверждение
• Дозирование (dispensing)
• Дополнительные модули доступны

Технические характеристики

• Точность позиционирования: ±1,0 µm @ 3σ
• Рабочая область подложки: 550 x 600 mm
• Время цикла: < 3 с
• Активное управление силой бондинга
• Евтектические методы бондинга: диодный лазер, нагревательная плита, штамповка и дозирование эпоксидов
• Поддержка термокомпрессии (TCB) и процессов TSV
• Multi flip‑chip bonding
• Возможность картирования wafer
• Инспекция / измерение после бондинга
• Динамическое выравнивание и лазерный нагрев подложки
• Возможность бондинга при температурах выше 350°C
• *Все характеристики зависят от корпуса и материалов