Модули ввода/вывода SiC

3 компании | 12 товаров
презентуйте свою продукцию

& связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год

Стать участником выставки
{{#pushedProductsPlacement4.length}} {{#each pushedProductsPlacement4}}
{{product.productLabel}}

{{product.productLabel}} {{product.model}}

{{#if product.featureValues}}
{{#each product.featureValues}} {{content}} {{/each}}
{{/if}}
{{#if product.productPrice }} {{#if product.productPrice.price }}

{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{/if}} {{/if}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}} {{#each product.productTagAssociationList}}
{{/each}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement4.length}}
{{#pushedProductsPlacement5.length}} {{#each pushedProductsPlacement5}}
{{product.productLabel}}

{{product.productLabel}} {{product.model}}

{{#if product.featureValues}}
{{#each product.featureValues}} {{content}} {{/each}}
{{/if}}
{{#if product.productPrice }} {{#if product.productPrice.price }}

{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{/if}} {{/if}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}} {{#each product.productTagAssociationList}}
{{/each}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement5.length}}
модуль ввода/вывода полностью SiC
модуль ввода/вывода полностью SiC
BEG1K0100G

Мощность: 30 000 W
Напряжение: 150 V - 1 000 V

... также может заменить традиционные PCS в системах хранения энергии. Благодаря использованию технологии высокочастотных MOSFET/SiC-переключателей, он может достичь превосходных характеристик, высокой плотности мощности, ...

Показать другие изделия
Infypower
модуль ввода/вывода SiC
модуль ввода/вывода SiC
LBG1K0120G

Мощность: 35 000 W
Напряжение: 150 V - 1 000 V

... микросети. Он также может заменить традиционные PCS для систем хранения энергии. Благодаря технологии высокочастотных MOSFET/SiC-переключателей, он может достичь превосходных характеристик, высокой плотности мощности, ...

Показать другие изделия
Infypower
модуль ввода/вывода полностью SiC
модуль ввода/вывода полностью SiC
REG1K0135P2

Мощность: 40 000 W
Напряжение: 150 V - 1 000 V

... REG1K0135P2 - это зарядный модуль постоянного тока VPF, специально разработанный для приложений зарядки EV с требованиями к регулировке PF и компенсации реактивной мощности. Он требует 3-фазного входа переменного тока без нейтральной ...

Показать другие изделия
Infypower
модуль ввода/вывода полностью SiC
модуль ввода/вывода полностью SiC
BEG1K075G

Мощность: 22 000 W
Напряжение: 150 V - 1 000 V

... также может заменить традиционные PCS для систем хранения энергии. Благодаря использованию технологии высокочастотных MOSFET/SiC-переключателей, он может достичь превосходных характеристик, высокой плотности мощности, ...

Показать другие изделия
Infypower
модуль ввода/вывода полностью SiC
модуль ввода/вывода полностью SiC
BEC1K0135G

Мощность: 40 000 W
Напряжение: 150 V - 1 000 V

... батарей и шин постоянного тока. Он имеет встроенный высокочастотный разделительный трансформатор и использует полупроводниковые SiC-приборы третьего поколения для достижения превосходных характеристик, таких как высокая ...

Показать другие изделия
Infypower
модуль ввода/вывода полностью SiC
модуль ввода/вывода полностью SiC
BSG1K037G

Мощность: 11 000 W
Напряжение: 150 V - 1 000 V

... усовершенствованную систему терморегулирования для удобной интеграции зарядного устройства V2G. Благодаря технологии высокочастотных MOSFET/SiC-переключателей он обеспечивает отличную производительность, высокую плотность ...

Показать другие изделия
Infypower
модуль ввода/вывода полностью SiC
модуль ввода/вывода полностью SiC
BEG015500SG

Мощность: 7 000 W
Напряжение: 14 V - 16 V

... системах повторного использования батарей и микросети переменного тока. Благодаря использованию технологии высокочастотных SiC MOSFET-переключателей, он может достичь превосходных характеристик, высокой плотности мощности, ...

Показать другие изделия
Infypower
модуль ввода/вывода полностью SiC
модуль ввода/вывода полностью SiC
BEG1K086U

Мощность: 62 500 W
Напряжение: 800 V - 1 000 V

... автономного использования батарей и микросетевых системах переменного тока. Благодаря использованию технологии высокочастотных SiC MOSFET-переключателей он обеспечивает превосходную производительность, высокую плотность ...

Показать другие изделия
Infypower
модуль ввода/вывода полностью SiC
модуль ввода/вывода полностью SiC
BEG1K0110G

Мощность: 62 500 W
Напряжение: 650 V - 1 000 V

... автономного использования батарей и микросетевых системах переменного тока. Благодаря использованию технологии высокочастотных SiC MOSFET-переключателей он может достичь превосходных характеристик, высокой плотности ...

Показать другие изделия
Infypower
модуль ввода/вывода SiC
модуль ввода/вывода SiC
eMPack®

... Платформа автомобильного силового модуля eMPack® - концепция будущего электронной мобильности с высокопроизводительной силовой электроникой Переход автомобильных платформ на полностью электрические аккумуляторные архитектуры быстро прогрессирует. ...

Показать другие изделия
SEMIKRON
модуль ввода/вывода SiC
модуль ввода/вывода SiC
SEMITOP® E1/E2

... Представляем новейший портфель SiC Дополните карбид кремния корпусами с низкой индуктивностью Достигайте более высокой плотности мощности с новым портфелем карбидокремниевых корпусов SEMITOP E1/E2. С индуктивностью коммутации ...

Показать другие изделия
SEMIKRON
модуль ввода/вывода SiC
модуль ввода/вывода SiC
SER100040K3B

... составляет 40 кВт с высокой плотностью мощности и высокой надежностью. В нем используется технология Interleaved Parallel LLC и SiC Mosfet 3-го поколения, преимуществами которой являются высокая пиковая эффективность ...

презентуйте свою продукцию

& связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год

Стать участником выставки