- Электричество - Электроника >
- Электронный компонент >
- Диод SiC
Диоды SiC
& связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}

Прямое напряжение: 1,5 V - 3 V
Обратное напряжение: 600, 1 250, 650 V
... Быстровосстанавливающиеся диоды Renesas обеспечивают быстрое время восстановления для целей выпрямления в очень высокочастотных приложениях. ...

Обратное напряжение: 650, 1 200 V
... Типовые применения Выпрямление высоких частот Высокоэффективные переключающие каскады Диоды для коррекции коэффициента мощности Диоды со свободным ходом для инверторов Коммерческий / промышленный класс Суффикс -Q: Соответствует стандарту ...

Обратное напряжение: 650 V
... Сокращение времени восстановления, что позволяет осуществлять высокоскоростное переключение. ОСОБЕННОСТИ: Сокращенное время восстановления Уменьшенная температурная зависимость Возможность высокоскоростного переключения Высокая способность ...
ROHM Semiconductor

Обратное напряжение: 650 V
... Более короткое время восстановления, что позволяет осуществлять высокоскоростное переключение. ОСОБЕННОСТИ: Уменьшенная температурная зависимость Возможность высокоскоростного переключения Высокая способность к импульсному току ...
ROHM Semiconductor

Обратное напряжение: 650 V
... Более короткое время восстановления, что позволяет осуществлять высокоскоростное переключение. ОСОБЕННОСТИ: Уменьшенная температурная зависимость Возможность высокоскоростного переключения Высокая способность к импульсному току ...
ROHM Semiconductor

Прямое напряжение: 1,45 V - 2,2 V
Обратное напряжение: 600 V - 1 200 V
... использованию диодов на основе карбида кремния (SiC). ST предлагает ассортимент от 600 до 1200 В с одиночными и двойными диодами в корпусах от PowerFLATTM 8x8 до TO-247, включая TO-220 с керамической изоляцией. SiC-диоды ...
& связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставкиВаши предложения по улучшению услуг:
- Список брендов
- Личный кабинет производителя
- Личный кабинет покупателя
- Наши услуги
- Подписка на новостную рассылку
- Информация о группе предприятий VirtualExpo
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось