Лазерный станок для резки RM-LS-SiC-1200

для монокристаллического кремниядля полупроводниковой пластиныдля полупроводниковой промышленности

Благодаря использованию полупрозрачных полосовых лазеров для точной фокусировки на внутренней части слитка за счет многофотонного эффекта формируется однородный модифицированный слой, что вызывает контролируемое распространение микротрещин. Затем следует процесс отслоения с ультразвуковой поддержкой, позволяющий полностью отделить всю подложку. Оборудование позволяет эффективно выполнять отрыв слитков SiC и прецизионное утоньшение пластин, а также совместимо с отрывом твёрдых и хрупких кристаллических материалов, таких как GaN и алмаз. Оно отличается сверхнизкими потерями при отрыве, высокой плоскостностью, отсутствием механических напряжений и высокой эффективностью серийного производства, что делает его ключевым оборудованием для серийного выпуска силовых полупроводниковых устройств с широкой запрещенной зоной.* Подходит для 8/12 дюймов Разработанный собственными силами основной модуль Основные алгоритмы и конструкции для отслеживания фокуса, управления световым полем и управляемого захвата пластин. Низкие потери материала Общие потери после шлифования составляют всего 100 мкм (8-дюймовые проводящие пластины). Высокая эффективность обработки Высокая эффективность обработки: 15 мин/пластина. Комплексное решение Решение, объединяющее лазерную модификацию + ультразвуковое разделение + автоматический захват пластин + AOI.