Печь с камерой

для выращивания кристалловавтоматическая

Печь для выращивания кристаллов SiC позволяет в специальной атмосфере осуществлять перенос в паровой фазе, химические реакции и т. д. с материалами из карбида кремния, что в конечном итоге приводит к выращиванию высококачественного монокристаллического слитка SiC на зародыше. Размер 6 дюймов/8 дюймов Выпуклость во время выращивания кристалла 1–3 мм Высокоточная интеллектуальная система управления, индивидуальный подход к обслуживанию Многозонное высокоточное управление Использование интеллектуальной системы управления для обеспечения удаленного централизованного управления Высокая производительность, высокая стабильность и оптимальное использование пространства Доступны индивидуальные решения Печь для выращивания кристаллов кремниевых материалов является ключевым оборудованием для получения высокочистых и высококачественных монокристаллических слитков кремния. Обычно для выращивания монокристаллических слитков кремния в ней используется метод Чохральского. В ней кремниевые материалы плавятся с помощью графитового нагревателя в инертной атмосфере, после чего зародыш погружается в расплавленный кремний. Благодаря точному регулированию скорости подъёма и вращения зародыша, а также скорости подъёма и вращения тигля атомы кремния упорядоченно, слой за слоем, осаждаются на зародыше, что позволяет выращивать монокристаллические кремниевые слитки, не содержащие дислокаций. Оборудование обладает такими техническими преимуществами, как конструкция, позволяющая выращивать слитки большого диаметра, точное регулирование температуры и автоматическое управление; диаметр выращиваемых слитков составляет от Φ360 до Φ600 мм, а минимальная длина — 2 м. Профессиональное программное обеспечение для моделирования Используйте STR, профессиональное программное обеспечение для моделирования, чтобы смоделировать весь цикл выращивания слитков SiC, предоставляя клиентам комплексные решения по выращиванию. Интеллектуальное управление Используйте интеллектуальную систему управления для обеспечения удаленного централизованного управления. Возможность настройки Предлагаем индивидуальный метод нагрева (резистивный нагрев/индукционный нагрев) в соответствии с потребностями.