Транзисторы Infineon

1 Компания | 43 товаров
{{#pushedProductsPlacement4.length}} {{#each pushedProductsPlacement4}}
{{product.productLabel}}

{{product.productLabel}} {{product.model}}

{{#if product.featureValues}}
{{#each product.featureValues}} {{content}} {{/each}}
{{/if}}
{{#if product.productPrice }} {{#if product.productPrice.price }}

{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{/if}} {{/if}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement4.length}}
{{#pushedProductsPlacement5.length}} {{#each pushedProductsPlacement5}}
{{product.productLabel}}

{{product.productLabel}} {{product.model}}

{{#if product.featureValues}}
{{#each product.featureValues}} {{content}} {{/each}}
{{/if}}
{{#if product.productPrice }} {{#if product.productPrice.price }}

{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{/if}} {{/if}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement5.length}}
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPD900P06NM

Напряжение: -60 V

... P-канальные МОП-транзисторы обычного и логического уровня, снижающие сложность проектирования в приложениях средней и малой мощности Р-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ на 60 В в корпусе DPAK представляют ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
BSZ063N04LS6

Ток: 40 A
Напряжение: 40 V

... Силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 40 В, сочетающие лучший в своем классе RDS(on) с превосходными характеристиками переключения Семейство силовых MOSFET 40V OptiMOS™ 6 оптимизировано для различных приложений и схем, ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPZA60R045P7

Ток: 61 A
Напряжение: 600 V

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPB60R045P7

Ток: 61 A
Напряжение: 600 V

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPW60R045P7

Ток: 61 A
Напряжение: 600 V

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPP60R160P7

Ток: 20 A
Напряжение: 600 V

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPAN60R180P7S

Ток: 18 A
Напряжение: 600 V

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPAN60R360P7S

Ток: 9 A
Напряжение: 600 V

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPZA60R024P7

Ток: 101 A
Напряжение: 600 V

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPW60R024P7

Ток: 101 A
Напряжение: 600 V

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
презентуйте свою продукцию

& связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год

Стать участником выставки