＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Ток: 95 A
Напряжение: 40 V
... RH6G040BG - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и корпусом высокой мощности, подходящий для коммутации. Низкое сопротивление при включении Мощный малогабаритный пресс-пакет (HSMT8) Покрытие без Pb; соответствует ...
ROHM Semiconductor
Ток: 60 A
Напряжение: 150 V
... RS6R060BH - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и мощным корпусом, подходящий для коммутации Низкое сопротивление при включении Мощный корпус (HSOP8) Покрытие без Pb; соответствует RoHS Без галогенов 100% Rg ...
ROHM Semiconductor
Ток: 210 A
Напряжение: 40 V
... RS6G120BG - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и мощным корпусом, подходящий для коммутации. Низкое сопротивление при включении Мощный корпус (HSOP8) Покрытие без Pb; соответствует RoHS Без галогенов 100% Rg ...
ROHM Semiconductor
Напряжение: -60 V
... P-канальные МОП-транзисторы обычного и логического уровня, снижающие сложность проектирования в приложениях средней и малой мощности Р-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ на 60 В в корпусе DPAK представляют собой новую технологию, предназначенную ...
Infineon Technologies AG
Ток: 0,8 A
Напряжение: 50 V
... Усиление постоянного тока hFE Макс. 400:400 Усиление постоянного тока hFE мин.: 160 Описание:TO-92, 50V, 0.8A, NPN биполярный транзистор IC (A):0.8 PD (W):0.625 Пакет:TO-92 Полярность:NPN Статус:Активный ТиДжей Макс. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...
Ток: 0 A - 8 A
Напряжение: 0 V - 400 V
... Фэйрчайлд создал транзистор, который используется для многих целей. Он оснащен выключателем, требующим токов коллектора, достигающих 500 мА. Может использоваться в качестве активного компонента для коммутаторов и усилителей, востребованного ...
Ток: 8 A
Напряжение: 600 V
... Новая серия "K" с защитой от короткого замыкания В этих IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH™, в результате чего достигается превосходный компромисс между характеристиками переключения и низким уровнем поведения ...
STMicroelectronics
Напряжение: 50 V
... ОПИСАНИЕ: Центральный полупроводниковый CMKT3920 (два одиночных транзистора NPN) представляет собой двойную комбинацию в пространстве экономичный пакет SOT-363 ULTRAmini™, предназначенный для небольших усилителей сигнала общего назначения ...
... Особенности: - Полевая остановка траншейного затвора IGBT - Номинальное короткое замыкание>10ps - - Низкое напряжение насыщения - Низкие потери при переключении - 100% RBSOA Tested (2*lc) - Низкая индуктивность рассеяния - Бессвинцовые, ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Напряжение: 20, 50 V
... N-канальный МОП-транзистор и транзистор NPN в одном пакете Низкое сопротивление при включении Очень низкое пороговое напряжение ворот, макс. 1.0V Низкая входная емкость Скорость быстрого переключения Низкая утечка на входе/выходе ...
Diodes Incorporated
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось