＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Ток: -16,4 A
Напряжение: -60 V
... P-канальные МОП-транзисторы обычного и логического уровня, снижающие сложность проектирования в приложениях средней и малой мощности Р-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ на 60 В в корпусе DPAK представляют собой новую технологию, предназначенную ...
Infineon Technologies AG
Ток: 5, 20, 30, 50 A
Напряжение: 600 V
... Дискретные IGBT-транзисторы Bourns® серии BID сочетают в себе технологии МОП-затвора и биполярного транзистора, создавая оптимальный компонент для высоковольтных и сильноточных приложений. В данном устройстве используется передовая технология ...
Ток: 0,8 A
Напряжение: 50 V
... Усиление постоянного тока hFE Макс. 400:400 Усиление постоянного тока hFE мин.: 160 Описание:TO-92, 50V, 0.8A, NPN биполярный транзистор IC (A):0.8 PD (W):0.625 Пакет:TO-92 Полярность:NPN Статус:Активный ТиДжей Макс. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...
Ток: 100 mA
Напряжение: 60, 50 V
... Типовые применения Цифровые устройства управления Коммутация, обработка сигналов Коммерческий / промышленный класс Суффикс -Q: Соответствие требованиям AEC-Q101) Суффикс -AQ: в соответствии с квалификацией AEC-Q101 x) Характеристики Экономия ...
Diotec
Ток: 20 A - 300 A
Напряжение: 1 200, 650 V
... Типовые применения Частота коммутации 80...100 кГц Преобразователи частоты Приводы двигателей переменного и постоянного тока Коммерческий / промышленный класс Суффикс -Q: Соответствует стандарту AEC-Q101 1) Суффикс -AQ: в соответствии ...
Diotec
Ток: 0,12, 0,28, 0,2 mA
Напряжение: 60 V
... Типовые применения Обработка сигналов, преобразователь логических уровней преобразователи, Драйверы Коммерческий класс Суффикс -Q: Соответствует стандарту AEC-Q101*) Суффикс -AQ: в соответствии с квалификацией AEC-Q101*) Характеристики Быстрое ...
Diotec
Ток: 800 A
Напряжение: 1 200 V
... NXH800H120L7QDSG - это номинальный полумостовой IGBT-модуль питания. Встроенные IGBT с полевой остановкой Trench 7 и диоды 7-го поколения обеспечивают более низкие потери проводимости и коммутационные потери, позволяя разработчикам достичь ...
Fairchild Semiconductor
Ток: 150 A - 3 600 A
Напряжение: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V
... Силовые IGBT-модули Hitachi Energy выпускаются на напряжение от 1700 до 6500 вольт в виде одиночных, двойных / фазовых ножек, IGBT с прерывателем и двойных диодных модулей. Мощные IGBT-модули HiPak отличаются низкими потерями в сочетании ...
Ток: 95 A
Напряжение: 40 V
... RH6G040BG - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и корпусом высокой мощности, подходящий для коммутации. Низкое сопротивление при включении Мощный малогабаритный пресс-пакет (HSMT8) Покрытие без Pb; соответствует ...
ROHM Semiconductor
Ток: 8 A
Напряжение: 600 V
... В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH™, что позволяет достичь превосходного компромисса между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя. Все характеристики Низкое падение ...
STMicroelectronics
Напряжение: 50 V
... ОПИСАНИЕ: Центральный полупроводниковый CMKT3920 (два одиночных транзистора NPN) представляет собой двойную комбинацию в пространстве экономичный пакет SOT-363 ULTRAmini™, предназначенный для небольших усилителей сигнала общего назначения ...
Напряжение: 20, 50 V
... N-канальный МОП-транзистор и транзистор NPN в одном пакете Низкое сопротивление при включении Очень низкое пороговое напряжение ворот, макс. 1.0V Низкая входная емкость Скорость быстрого переключения Низкая утечка на входе/выходе ...
Diodes Incorporated
... Особенности: - Полевая остановка траншейного затвора IGBT - Номинальное короткое замыкание>10ps - - Низкое напряжение насыщения - Низкие потери при переключении - 100% RBSOA Tested (2*lc) - Низкая индуктивность рассеяния - Бессвинцовые, ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось