Транзисторы для коммутации

Ток: -16,4 A
Напряжение: -60 V

... P-канальные МОП-транзисторы обычного и логического уровня, снижающие сложность проектирования в приложениях средней и малой мощности Р-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ на 60 В в корпусе DPAK представляют собой новую технологию, предназначенную ...

Ток: 800 A
Напряжение: 1 200 V

... NXH800H120L7QDSG - это номинальный полумостовой IGBT-модуль питания. Встроенные IGBT с полевой остановкой Trench 7 и диоды 7-го поколения обеспечивают более низкие потери проводимости и коммутационные потери, позволяя разработчикам достичь ...

Ток: 95 A
Напряжение: 40 V

... RH6G040BG - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и корпусом высокой мощности, подходящий для коммутации. Низкое сопротивление при включении Мощный малогабаритный пресс-пакет (HSMT8) Покрытие без Pb; соответствует ...

Ток: 150 A - 3 600 A
Напряжение: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V

... Силовые IGBT-модули Hitachi Energy выпускаются на напряжение от 1700 до 6500 вольт в виде одиночных, двойных / фазовых ножек, IGBT с прерывателем и двойных диодных модулей. Мощные IGBT-модули HiPak отличаются низкими потерями в сочетании ...

Ток: 8 A
Напряжение: 600 V

... В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH™, что позволяет достичь превосходного компромисса между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя. Все характеристики Низкое падение ...

Напряжение: 50, 60, 7 V

... Central Semiconductor CMKT3920 (два одиночных NPN-транзистора) - это двойная комбинация в компактном корпусе SOT-363 ULTRAmini™, предназначенная для малосигнальных усилителей общего назначения и коммутационных приложений. КОД МАРКИРОВКИ: ...

Ток: 5, 20, 30, 50 A
Напряжение: 600 V

... Дискретные IGBT-транзисторы Bourns® серии BID сочетают в себе технологии МОП-затвора и биполярного транзистора, создавая оптимальный компонент для высоковольтных и сильноточных приложений. В данном устройстве используется передовая технология ...

Ток: 0,8 A
Напряжение: 50 V

... Усиление постоянного тока hFE Макс. 400:400 Усиление постоянного тока hFE мин.: 160 Описание:TO-92, 50V, 0.8A, NPN биполярный транзистор IC (A):0.8 PD (W):0.625 Пакет:TO-92 Полярность:NPN Статус:Активный ТиДжей Макс. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...

Ток: 100 mA
Напряжение: 60, 50 V

... Типовые применения Цифровые устройства управления Коммутация, обработка сигналов Коммерческий / промышленный класс Суффикс -Q: Соответствие требованиям AEC-Q101) Суффикс -AQ: в соответствии с квалификацией AEC-Q101 x) Характеристики Экономия ...

Напряжение: 20, 50 V

... N-канальный МОП-транзистор и транзистор NPN в одном пакете Низкое сопротивление при включении Очень низкое пороговое напряжение ворот, макс. 1.0V Низкая входная емкость Скорость быстрого переключения Низкая утечка на входе/выходе ...

... Особенности: - Полевая остановка траншейного затвора IGBT - Номинальное короткое замыкание>10ps - - Низкое напряжение насыщения - Низкие потери при переключении - 100% RBSOA Tested (2*lc) - Низкая индуктивность рассеяния - Бессвинцовые, ...