Транзисторы для коммутации

11 компании | 144 товаров
презентуйте свою продукцию

& связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год

Стать участником выставки
{{#pushedProductsPlacement4.length}} {{#each pushedProductsPlacement4}}
{{product.productLabel}}

{{product.productLabel}} {{product.model}}

{{#if product.featureValues}}
{{#each product.featureValues}} {{content}} {{/each}}
{{/if}}
{{#if product.productPrice }} {{#if product.productPrice.price }}

{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{/if}} {{/if}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement4.length}}
{{#pushedProductsPlacement5.length}} {{#each pushedProductsPlacement5}}
{{product.productLabel}}

{{product.productLabel}} {{product.model}}

{{#if product.featureValues}}
{{#each product.featureValues}} {{content}} {{/each}}
{{/if}}
{{#if product.productPrice }} {{#if product.productPrice.price }}

{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{/if}} {{/if}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement5.length}}
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPD900P06NM

Ток: -16,4 A
Напряжение: -60 V

... P-канальные МОП-транзисторы обычного и логического уровня, снижающие сложность проектирования в приложениях средней и малой мощности Р-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ на 60 В в корпусе DPAK представляют собой новую технологию, предназначенную ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор БТИЗ
транзистор БТИЗ
5SN series

Ток: 150 A - 3 600 A
Напряжение: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V

... Силовые IGBT-модули Hitachi Energy выпускаются на напряжение от 1700 до 6500 вольт в виде одиночных, двойных / фазовых ножек, IGBT с прерывателем и двойных диодных модулей. Мощные IGBT-модули HiPak отличаются низкими потерями в сочетании ...

транзистор биполярный транзистор с изолированным затвором
транзистор биполярный транзистор с изолированным затвором
BID series

Ток: 5, 20, 30, 50 A
Напряжение: 600 V

... Дискретные IGBT-транзисторы Bourns® серии BID сочетают в себе технологии МОП-затвора и биполярного транзистора, создавая оптимальный компонент для высоковольтных и сильноточных приложений. В данном устройстве используется передовая технология ...

транзистор NPN
транзистор NPN
MM series

Ток: 100 mA
Напряжение: 60, 50 V

... Типовые применения Цифровые устройства управления Коммутация, обработка сигналов Коммерческий / промышленный класс Суффикс -Q: Соответствие требованиям AEC-Q101) Суффикс -AQ: в соответствии с квалификацией AEC-Q101 x) Характеристики Экономия ...

Показать другие изделия
Diotec
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
2N700 series

Ток: 0,12, 0,28, 0,2 mA
Напряжение: 60 V

... Типовые применения Обработка сигналов, преобразователь логических уровней преобразователи, Драйверы Коммерческий класс Суффикс -Q: Соответствует стандарту AEC-Q101*) Суффикс -AQ: в соответствии с квалификацией AEC-Q101*) Характеристики Быстрое ...

Показать другие изделия
Diotec
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
MMFT series

Ток: 100 mA
Напряжение: 50 V

... Типовые применения Обработка сигналов Драйверы Преобразователь логических уровней Коммерческий / промышленный класс Суффикс -Q: AEC-Q101 compliantL) Суффикс -AQ: соответствие стандарту AEC-Q101 x) Характеристики Привод затвора логического ...

Показать другие изделия
Diotec
транзистор HEMT
транзистор HEMT
GNP1070TC-Z

Ток: 20 A
Напряжение: 650 V

... GNP1070TC-Z - 650-вольтовый GaN HEMT, достигший наивысшего в отрасли класса FOM (Ron*Ciss、Ron*Coss). Это продукт серии EcoGaN™, который способствует повышению эффективности преобразования мощности и уменьшению размеров за счет оптимального ...

Показать другие изделия
ROHM Semiconductor
транзистор NPN
транзистор NPN
KSP10 series

Напряжение: 60 V

... Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN Области применения Данный продукт является изделием общего назначения и подходит для различных областей применения. ...

Показать другие изделия
Fairchild Semiconductor
транзистор БТИЗ
транзистор БТИЗ
STGB8NC60KDT4

Ток: 8 A
Напряжение: 600 V

... В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH™, в результате чего достигается превосходный компромисс между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя. Все характеристики Низкое ...

Показать другие изделия
STMicroelectronics
транзистор NPN
транзистор NPN
CMKT3920

Напряжение: 50 V

... ОПИСАНИЕ: Центральный полупроводниковый CMKT3920 (два одиночных транзистора NPN) представляет собой двойную комбинацию в пространстве экономичный пакет SOT-363 ULTRAmini™, предназначенный для небольших усилителей сигнала общего назначения ...

двухполюсный транзистор
двухполюсный транзистор
BC337-25

Ток: 0,8 A
Напряжение: 50 V

... Усиление постоянного тока hFE Макс. 400:400 Усиление постоянного тока hFE мин.: 160 Описание:TO-92, 50V, 0.8A, NPN биполярный транзистор IC (A):0.8 PD (W):0.625 Пакет:TO-92 Полярность:NPN Статус:Активный ТиДжей Макс. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...

двухполюсный транзистор
двухполюсный транзистор
DMB series

Напряжение: 20, 50 V

... N-канальный МОП-транзистор и транзистор NPN в одном пакете Низкое сопротивление при включении Очень низкое пороговое напряжение ворот, макс. 1.0V Низкая входная емкость Скорость быстрого переключения Низкая утечка на входе/выходе ...

Показать другие изделия
Diodes Incorporated
блок транзисторов БТИЗ
блок транзисторов БТИЗ
RT200TL65A8H-S09

... Особенности: - Полевая остановка траншейного затвора IGBT - Номинальное короткое замыкание>10ps - - Низкое напряжение насыщения - Низкие потери при переключении - 100% RBSOA Tested (2*lc) - Низкая индуктивность рассеяния - Бессвинцовые, ...

Показать другие изделия
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
презентуйте свою продукцию

& связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год

Стать участником выставки