＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Напряжение: 60 V
... Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN Области применения Данный продукт является изделием общего назначения и подходит для различных областей применения. ...
Onsemi
Ток: 15 A
Напряжение: 60 V - 120 V
... Биполярный силовой транзистор предназначен для мощных аудиоустройств, шаговых двигателей и других линейных приложений. Он также может использоваться в схемах коммутации питания, таких как драйверы реле или соленоидов, ...
Onsemi
Ток: 15 A
Напряжение: 60 V - 120 V
... Биполярный силовой транзистор предназначен для мощных аудиоустройств, шаговых двигателей и других линейных приложений. Он также может использоваться в схемах коммутации питания, таких как драйверы реле или соленоидов, ...
Onsemi
Ток: 10 A
Напряжение: 100 V
... Биполярный силовой транзистор предназначен для применения в усилителях и коммутаторах общего назначения, где требуется электрическая изоляция монтажной поверхности прибора от радиатора или шасси. Характеристики Изолированный литой корпус ...
Onsemi
Ток: 800 A
Напряжение: 1 200 V
... NXH800H120L7QDSG - это номинальный полумостовой IGBT-модуль питания. Встроенные IGBT с полевой остановкой Trench 7 и диоды 7-го поколения обеспечивают более низкие потери проводимости и коммутационные потери, позволяя разработчикам достичь высокой эффективности ...
Onsemi
Ток: 800 A
Напряжение: 1 200 V
... SNXH800H120L7QDSG - это номинальный полумостовой IGBT-модуль питания. Встроенные IGBT с полевой остановкой Trench 7 и диоды 7-го поколения обеспечивают более низкие потери проводимости и потери на переключение, позволяя разработчикам достичь высокой эффективности ...
Onsemi
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки