Транзисторы для коммутации Onsemi

Ток: 800 A
Напряжение: 1 200 V

... NXH800H120L7QDSG - это номинальный полумостовой IGBT-модуль питания. Встроенные IGBT с полевой остановкой Trench 7 и диоды 7-го поколения обеспечивают более низкие потери проводимости и коммутационные потери, позволяя разработчикам достичь ...

Ток: 800 A
Напряжение: 1 200 V

... SNXH800H120L7QDSG - это номинальный полумостовой IGBT-модуль питания. Встроенные IGBT с полевой остановкой Trench 7 и диоды 7-го поколения обеспечивают более низкие потери проводимости и потери на переключение, позволяя разработчикам ...

Напряжение: 60 V

... Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN Области применения Данный продукт является изделием общего назначения и подходит для различных областей применения. ...

Ток: 15 A
Напряжение: 60 V - 120 V

... Биполярный силовой транзистор предназначен для мощных аудиоустройств, шаговых двигателей и других линейных приложений. Он также может использоваться в схемах коммутации питания, таких как драйверы реле ...

Ток: 15 A
Напряжение: 60 V - 120 V

... Биполярный силовой транзистор предназначен для мощных аудиоустройств, шаговых двигателей и других линейных приложений. Он также может использоваться в схемах коммутации питания, таких как драйверы реле ...

Ток: 10 A
Напряжение: 100 V

... Биполярный силовой транзистор предназначен для применения в усилителях и коммутаторах общего назначения, где требуется электрическая изоляция монтажной поверхности прибора от радиатора или шасси. Характеристики Изолированный ...