＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Напряжение: 1 700, 2 500, 4 500 V
... Разработанные с использованием запатентованной технологии тонкой подложки XPT™ и современного технологического процесса IGBT, эти приборы обладают такими качествами, как пониженное тепловое сопротивление, низкий хвостовой ток, низкие потери энергии и ...
Ток: 600 A
Напряжение: 1 200 V
... IGBT-модули Littelfuse обеспечивают высокую эффективность и высокую скорость переключения современной IGBT-технологии в надежном и гибком формате. Используемые в приложениях управления питанием, Littelfuse предлагает расширенный ассортимент IGBT-модулей ...
Ток: -16,4 A
Напряжение: -60 V
... P-канальные МОП-транзисторы обычного и логического уровня, снижающие сложность проектирования в приложениях средней и малой мощности Р-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ на 60 В в корпусе DPAK представляют собой новую технологию, предназначенную для ...
Infineon Technologies AG
Ток: 150 A - 3 600 A
Напряжение: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V
... Силовые IGBT-модули Hitachi Energy выпускаются на напряжение от 1700 до 6500 вольт в виде одиночных, двойных / фазовых ножек, IGBT с прерывателем и двойных диодных модулей. Мощные IGBT-модули HiPak отличаются низкими потерями в сочетании с плавным переключением ...
Ток: -0,5 A
Напряжение: -50 V
... 50A02CH - биполярный транзистор, низкий VCE(sat), PNP Single для применения в низкочастотных усилителях общего назначения. Приложения Низкочастотный усилитель Высокоскоростное переключение Малогабаритный моторный привод Схема глушения Характеристики Высокий ...
Onsemi
Ток: 0,4 A - 45 A
Напряжение: 36 V - 70 V
... Компания ST предлагает широкий ассортимент интеллектуальных 3- и 5-контактных низкоомных переключателей (OMNIFET) автомобильного класса, основанных на технологии VIPower (vertical intelligent power). Эта запатентованная технология позволяет интегрировать ...
STMicroelectronics
Напряжение: 7,5 V
... AFM906N предназначен для применения в портативных двухсторонних радиостанциях с частотами от 136 до 941 МГц. Высокий коэффициент усиления, прочность и широкополосные характеристики этого устройства делают его идеальным для применения в усилителях больших ...
Ток: 95 A
Напряжение: 40 V
... RH6G040BG - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и корпусом высокой мощности, подходящий для коммутации. Низкое сопротивление при включении Мощный малогабаритный пресс-пакет (HSMT8) Покрытие без Pb; соответствует RoHS Без галогенов ...
ROHM Semiconductor
SEMIKRON
Напряжение: -400 V - 1 000 V
... Компания Vishay является мировым лидером в производстве маломощных МОП-транзисторов. Линейка силовых МОП-транзисторов Vishay Siliconix включает устройства в более чем 30 типов корпусов, в том числе линейки микросхем MICRO FOOT® и высокотехнологичные термостаты ...
Ток: 5, 20, 30, 50 A
Напряжение: 600 V
... Дискретные IGBT-транзисторы Bourns® серии BID сочетают в себе технологии МОП-затвора и биполярного транзистора, создавая оптимальный компонент для высоковольтных и сильноточных приложений. В данном устройстве используется передовая технология Trench-Gate ...
Напряжение: 110, 265 V
... Описание: TOPSwitch-HX включает в себя МОП-транзистор 700 В, источник тока высокого напряжения, ШИМ-управление, генератор, цепь теплового отключения, защиту от неисправностей и другие схемы управления на монолитном устройстве. Низкая стоимость системы, ...
Power Integrations
Ток: 0,8 A
Напряжение: 50 V
... Усиление постоянного тока hFE Макс. 400:400 Усиление постоянного тока hFE мин.: 160 Описание:TO-92, 50V, 0.8A, NPN биполярный транзистор IC (A):0.8 PD (W):0.625 Пакет:TO-92 Полярность:NPN Статус:Активный ТиДжей Макс. (°C):150 VCBO (V):50 VCE Sat. (V):0.7 VCEO ...
Напряжение: 20, 50 V
... N-канальный МОП-транзистор и транзистор NPN в одном пакете Низкое сопротивление при включении Очень низкое пороговое напряжение ворот, макс. 1.0V Низкая входная емкость Скорость быстрого переключения Низкая утечка на входе/выходе Утечка на выходе ...
Diodes Incorporated
... GaN HEMTs, GaAs FETs, MMICs и малошумящие HEMT-решения обеспечивают высокую производительность и бескомпромиссную надежность для радаров, базовых станций, SATCOM, "точка-точка" и космических приложений. ...
... Гнезда для силовых ИС Стандартный тип Одиночные в линию ●Как заказать ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Количество позиций от 2 до 16 Диэлектрическая прочность - Сопротивление изоляции - - - Рабочая температура EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x = количество выводов ...
JC CHERRY INC.
Напряжение: 45 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX51, BCX52 и BCX53 - это кремниевые транзисторы PNP изготовленные по эпитаксиальному планарному процессу, отлитые из эпоксидной смолы в корпусе для поверхностного монтажа и предназначенные для высокотоковых усилителей общего назначения. КОД ...
Central Semiconductor
Ток: 25 mA
Напряжение: 20 V
... Напряжение коллектор-эмиттер - Vceo 20 В Постоянный ток коллектора - Ic - 25 мА Полярность - pol - NPN Рассеиваемая мощность - Ptot - 0,200 Вт Температура спая - Tjmax - 150 °C Коэффициент усиления по постоянному току - hfe - 85 - VcE - 10 В - Ic - ...
Diotec
Ток: 2 A
Напряжение: 36 V
... С помощью этого МОП-транзистора можно управлять напряжением до 36 Вольт. С помощью широтно-импульсной модуляции можно понизить среднеквадратичное напряжение (например, для регулировки яркости светодиодной лампы). СОВМЕСТИМ С Arduino, Raspberry Pi и т.д. УПРАВЛЯЮЩЕЕ ...
Ток: 1 mA - 20 mA
Напряжение: 2,7 V
Broadcom
Ток: 150 A
Напряжение: 600 V
... IGBT модуль AMM145GB066D AS ENERGITM является заменой, аналогом, альтернативой и эквивалентом для IGBT модуля SKM145GB066D SEMIKRON (пакет SEMITRANS). Номинальный ток коллектора ICnom - 150 ампер, непрерывный ток коллектора IC - 195 ампер, напряжение ...
... Avago имеет обширный портфель кремниевых биполярных РФ транзисторов и GaAs FET Радиочастотные транзисторы GaAs FET идеально подходят для первого или второго каскада базовой станции LNA благодаря превосходному сочетанию низкого коэффициента шума и повышенной ...
Ток: 10, 25 A
Напряжение: 1 200 V
... Особенности Траншея + Файловая остановка IGBT-технологии Возможность короткого замыкания -10 кадров в секунду -(Версат) с положительным температурным коэффициентом -Низкая индуктивность корпуса -Быстрое и мягкое реверсивное восстановление анти-параллельного ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Напряжение: 8 V - 35 V
... Модуль Bluetooth является переходным модулем передачи данных между мобильным телефоном и генераторной установкой. Он соединен с контроллером генераторной установки через RS485. С помощью мобильного APP можно получать информацию о генераторной установке ...
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки