Транзистор FET
с полевым эффектоммощностьмалошумный

транзистор FET
транзистор FET
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Тип
FET, с полевым эффектом
Тип
мощность
Другие характеристики
малошумный

Описание

Avago имеет обширный портфель кремниевых биполярных РФ транзисторов и GaAs FET Радиочастотные транзисторы GaAs FET идеально подходят для первого или второго каскада базовой станции LNA благодаря превосходному сочетанию низкого коэффициента шума и повышенной линейности Биполярные радиочастотные транзисторы Avagos обеспечивают высокую производительность, оптимизированную для максимальной скорости передачи данных при низком напряжении, что делает их идеальными для использования в беспроводных сетях, работающих от батарей.

---

Каталоги

Для этого товара не доступен ни один каталог.

Посмотреть все каталоги Avago Technologies
* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.