＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Ток: 95 A
Напряжение: 40 V
... RH6G040BG - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и корпусом высокой мощности, подходящий для коммутации. Низкое сопротивление при включении Мощный малогабаритный пресс-пакет (HSMT8) Покрытие без Pb; соответствует ...
ROHM Semiconductor
Ток: 60 A
Напряжение: 150 V
... RS6R060BH - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и мощным корпусом, подходящий для коммутации Низкое сопротивление при включении Мощный корпус (HSOP8) Покрытие без Pb; соответствует RoHS Без галогенов 100% Rg ...
ROHM Semiconductor
Ток: 210 A
Напряжение: 40 V
... RS6G120BG - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и мощным корпусом, подходящий для коммутации. Низкое сопротивление при включении Мощный корпус (HSOP8) Покрытие без Pb; соответствует RoHS Без галогенов 100% Rg ...
ROHM Semiconductor
Ток: 0,4 A - 45 A
Напряжение: 36 V - 70 V
... ST предлагает широкий ассортимент автомобильных интеллектуальных 3- и 5-полюсных низкочастотных переключателей (OMNIFET) на базе технологии VIPower (вертикальная интеллектуальная мощность). Эта запатентованная технология позволяет интегрировать ...
STMicroelectronics
Напряжение: 7,5 V
... Обзор AFM906N предназначен для ручной двусторонней радиосвязи на частотах от 136 до 941 МГц. Высокое усиление, прочность и широкополосная производительность этого устройства делают его идеальным для применения в крупносигнальных усилителях ...
Напряжение: -60 V
... P-канальные МОП-транзисторы обычного и логического уровня, снижающие сложность проектирования в приложениях средней и малой мощности Р-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ на 60 В в корпусе DPAK представляют собой новую технологию, предназначенную ...
Infineon Technologies AG
Ток: 100, 82 A
Напряжение: 20 V
Компания Toshiba предлагает широкий ряд биполярных транзисторов для различных сфер применения, включая радиочастотные приборы и источники питания. Инжекционный транзистор с обогащенным затвором (injection-enhanced gate transistor, ...
Ток: 10, 43 A
Напряжение: 250, 500 V
... FAIRCHILD представляет свою новейшую линию автомобильного зажигания с IGBT. Он специально разработан для обеспечения максимальной плотности энергии зажима среди всех устройств на рынке и низкого напряжения насыщения. Обеспечивает оптимальную ...
Fairchild Semiconductor
Напряжение: 45 V
... ОПИСАНИЕ: Типы ЦЕНТРАЛЬНЫХ СЕМИКОНДУКТОРОВ BCX51, BCX52 и BCX53 - это кремниевые транзисторы PNP Изготавливается по эпитаксиально-плоскостному процессу, эпоксидная форма в корпусе для поверхностного монтажа, предназначенном для применения ...
Central Semiconductor
Напряжение: 110, 265 V
... Описание: TOPSwitch-HX включает в себя МОП-транзистор 700 В, источник тока высокого напряжения, ШИМ-управление, генератор, цепь теплового отключения, защиту от неисправностей и другие схемы управления на монолитном устройстве. Низкая ...
Power Integrations
... Компания Vishay является мировым лидером в производстве маломощных МОП-транзисторов. Линейка силовых МОП-транзисторов Vishay Siliconix включает устройства в более чем 30 типов корпусов, в том числе линейки микросхем MICRO FOOT® и высокотехнологичные ...
... Avago имеет обширный портфель кремниевых биполярных РФ транзисторов и GaAs FET Радиочастотные транзисторы GaAs FET идеально подходят для первого или второго каскада базовой станции LNA благодаря превосходному сочетанию низкого коэффициента ...
Ток: 10, 25 A
Напряжение: 1 200 V
... Особенности Траншея + Файловая остановка IGBT-технологии Возможность короткого замыкания -10 кадров в секунду -(Версат) с положительным температурным коэффициентом -Низкая индуктивность корпуса -Быстрое и мягкое реверсивное восстановление ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Ток: 1 A - 5 A
Напряжение: 12 V - 400 V
... Диоды являются лидером рынка в области биполярных транзисторов. Благодаря широкому ассортименту собственной упаковки и превосходной кремниевой технологии диоды идеально подходят для решения ваших задач, связанных с биполярными транзисторами. Постоянная ...
Напряжение: 8 V - 35 V
... Модуль Bluetooth является переходным модулем передачи данных между мобильным телефоном и генераторной установкой. Он соединен с контроллером генераторной установки через RS485. С помощью мобильного APP можно получать информацию о генераторной ...
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось