Транзисторы мощности Infineon

{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

Добавить к сравнению Удалить из сравнения

{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

Добавить к сравнению Удалить из сравнения

транзистор MOSFETIPD900P06NM

мощности для коммутации лавинный

транзистор MOSFET

IPD900P06NM

Ток: -16,4 A
Напряжение: -60 V

... P-канальные МОП-транзисторы обычного и логического уровня, снижающие сложность проектирования в приложениях средней и малой мощности Р-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ на 60 В в корпусе ...

Добавить к сравнению Удалить из сравнения

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG

транзистор MOSFETBSZ063N04LS6

мощности для коммутации сопротивлением

транзистор MOSFET

BSZ063N04LS6

Ток: 40 A
Напряжение: 40 V

... Силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ 6, сочетающие лучший в своем классе RDS(on) с превосходными характеристиками переключения Семейство силовых MOSFET 40V OptiMOS™ 6 оптимизировано для различных приложений и схем, таких ...

Добавить к сравнению Удалить из сравнения

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG

транзистор MOSFETIPB60R045P7

мощности для коммутации

транзистор MOSFET

IPB60R045P7

Ток: 61 A
Напряжение: 600 V

... электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная ...

Добавить к сравнению Удалить из сравнения

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG