Транзистор MOSFET IPD900P06NM
мощностьдля коммутациидля автомобильных технологий

транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Тип
MOSFET
Тип
мощность, для коммутации
Другие характеристики
для автомобильных технологий, лавинный
Напряжение

-60 V

Описание

P-канальные МОП-транзисторы обычного и логического уровня, снижающие сложность проектирования в приложениях средней и малой мощности Р-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ на 60 В в корпусе DPAK представляют собой новую технологию, предназначенную для приложений управления аккумуляторами, переключения нагрузки и защиты от обратной полярности. Основным преимуществом P-канального устройства является снижение сложности проектирования в приложениях средней и малой мощности. Простой интерфейс с MCU, быстрое переключение, а также лавинная стойкость делают его пригодным для применения в высококачественных и требовательных приложениях. Они выпускаются с нормальным и логическим уровнем, характеризуются широким диапазоном RDS(on) и повышают эффективность при низких нагрузках благодаря низкому Qg. Краткое описание характеристик: Большинство изделий соответствует стандарту AEC Q101 Широкий диапазон RDS(on) Наличие нормального уровня и логического уровня Преимущества: Простой интерфейс с MCU Повышенная эффективность при низких нагрузках благодаря низкому Qg Быстрое переключение Лавинная прочность Целевые применения: Батарея Потребительские Промышленная автоматизация Промышленные приводы

---

Каталоги

IPD900P06NM
IPD900P06NM
10 Страницы

Другие изделия Infineon Technologies AG

MOSFET

* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.