＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Ток: 28 A
Напряжение: 650 V
... IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 с жесткой коммутацией в корпусе TO-220, занимающем небольшую площадь, предназначены для приложений, переключающихся в диапазоне от 10 кГц до 40 кГц, и обеспечивают высокую плотность тока, высокий КПД, ускорение сроков ...
Infineon Technologies AG
... Гнезда для силовых ИС Стандартный тип Одиночные в линию ●Как заказать ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Количество позиций от 2 до 16 Диэлектрическая прочность - Сопротивление изоляции - - - Рабочая температура EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x = ...
JC CHERRY INC.
... Гнездо среднего размера для силовых ИС Тип сквозного отверстия Двойной стиль 2.шаг 54 мм / 0,100" ●Как заказать ex: PDSP-CM1-Dxx-GG x: Количество позиций 04,12,20 (четное количество) *Что касается другого количества позиций, ...
JC CHERRY INC.
... Гнезда для подключения силовых транзисторов Шаг Высокая температура Низкое газовыделение Многополюсный тип Высоконадежный круглый контакт, обеспечивающий хорошие электрические и механические характеристики. Гнезда для тестирования силовых ...
JC CHERRY INC.
Ток: 5, 20, 30, 50 A
Напряжение: 600 V
... Дискретные IGBT-транзисторы Bourns® серии BID сочетают в себе технологии МОП-затвора и биполярного транзистора, создавая оптимальный компонент для высоковольтных и сильноточных приложений. В данном устройстве используется передовая технология ...
Ток: 100 mA
Напряжение: 45, 30, 65 mV
... Типовые применения Обработка сигналов Коммутация Усиление Коммерческий / промышленный класс Суффикс -Q: Соответствует стандарту AEC-Q101 *) Суффикс -AQ: в соответствии с квалификацией AEC-Q101 *) Характеристики Общее назначение Три ...
Ток: 20 A - 300 A
Напряжение: 1 200, 650 V
... Типовые применения Частота коммутации 80...100 кГц Преобразователи частоты Приводы двигателей переменного и постоянного тока Коммерческий / промышленный класс Суффикс -Q: Соответствует стандарту AEC-Q101 1) Суффикс -AQ: в соответствии ...
Ток: 800 A
Напряжение: 1 200 V
... NXH800H120L7QDSG - это номинальный полумостовой IGBT-модуль питания. Встроенные IGBT с полевой остановкой Trench 7 и диоды 7-го поколения обеспечивают более низкие потери проводимости и коммутационные потери, позволяя разработчикам достичь ...
Fairchild Semiconductor
Ток: 150 A - 3 600 A
Напряжение: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V
... Силовые IGBT-модули Hitachi Energy выпускаются на напряжение от 1700 до 6500 вольт в виде одиночных, двойных / фазовых ножек, IGBT с прерывателем и двойных диодных модулей. Мощные IGBT-модули HiPak отличаются низкими потерями в сочетании ...
Ток: 8 A
Напряжение: 1 700 V
... QC962-8A - это интегрированный гибридный драйвер IGBT. Его основная функция - прием сигнала квадратной волны от контроллера и преобразование его в изолированный, усиленный сигнал гате, который управляет циклом включения и выключения IGBT. ...
MORNSUN Guangzhou Science & Technology Co.,Ltd.
Ток: 50 A
Напряжение: 650 V
... Серия RGWxx65C - это 650-вольтовые IGBT со встроенным диодом SiC с барьером Шоттки, который снижает потери при включении. Это изделие соответствует стандарту AEC-Q101. Его можно смело использовать даже в жестких условиях эксплуатации, ...
ROHM Semiconductor
Ток: 8 A
Напряжение: 600 V
... В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH™, что позволяет достичь превосходного компромисса между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя. Все характеристики Низкое падение ...
STMicroelectronics
Ток: 3 000, 1 300, 2 000 A
Напряжение: 4 500, 5 200 V
... StakPak - это семейство высокомощных изолированных биполярных транзисторов затвора (IGBT), пресс-пакетов и диодов в усовершенствованном модульном корпусе, гарантирующем равномерное давление чипов в стеках с несколькими приборами. Хотя ...
SEMIKRON
Ток: 150 A
Напряжение: 600 V
... IGBT модуль AMM145GB066D AS ENERGITM является заменой, аналогом, альтернативой и эквивалентом для IGBT модуля SKM145GB066D SEMIKRON (пакет SEMITRANS). Номинальный ток коллектора ICnom - 150 ампер, непрерывный ток коллектора IC - 195 ампер, ...
Ток: 10, 25 A
Напряжение: 1 200 V
... Особенности Траншея + Файловая остановка IGBT-технологии Возможность короткого замыкания -10 кадров в секунду -(Версат) с положительным температурным коэффициентом -Низкая индуктивность корпуса -Быстрое и мягкое реверсивное восстановление ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось