В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH™, что позволяет достичь превосходного компромисса между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя.
Все характеристики
Низкое падение напряжения включения (VCE(sat))
Очень мягкий антипараллельный диод со сверхбыстрым восстановлением
Низкое соотношение CRES / CIES (отсутствие восприимчивости к перекрестной проводимости)
Время выдерживания короткого замыкания 10 мкс
---