Транзистор БТИЗ STGW30NC60KD
для коммутации

Транзистор БТИЗ - STGW30NC60KD - STMicroelectronics - для коммутации
Транзистор БТИЗ - STGW30NC60KD - STMicroelectronics - для коммутации
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению

fo_shop_gate_exact_title

Характеристики

Тип
БТИЗ
Тип
для коммутации
Ток

30 A

Напряжение

600 V

Описание

В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH, в результате чего достигается превосходный компромисс между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя. Все характеристики Низкое падение напряжения включения (VCE(sat)) Выдерживаемое время короткого замыкания 10 мкс Низкое соотношение Cres / Cies (отсутствие восприимчивости к перекрестной проводимости) IGBT в одной упаковке с ультрабыстрым диодом со свободным ходом

---

Каталоги

STGW30NC60KD
STGW30NC60KD
14 Страницы

Салоны

Вы сможете встретиться с этим поставщиком на выставке(-ах)

EMO 2025
EMO 2025

22-26 сент. 2025 Hannover (Германия)

  • Дополнительная информация
    SPS 2025
    SPS 2025

    25-27 нояб. 2025 Nürnberg (Германия) Зал 4 - Стенд 271

  • Дополнительная информация
    * Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.