В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH, в результате чего достигается превосходный компромисс между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя.
Все характеристики
Низкое падение напряжения включения (VCE(sat))
Выдерживаемое время короткого замыкания 10 мкс
Низкое соотношение Cres / Cies (отсутствие восприимчивости к перекрестной проводимости)
IGBT в одной упаковке с ультрабыстрым диодом со свободным ходом
---