В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH™, в результате чего достигается превосходный компромисс между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя.
Все характеристики
Низкое падение напряжения включения (VCE(sat))
Очень мягкий антипараллельный диод со сверхбыстрым восстановлением
Низкое соотношение CRES / CIES (отсутствие восприимчивости к перекрестной проводимости)
Выдерживаемое время короткого замыкания 10 мкс
---