Транзистор БТИЗ RGW00TS65CHR
для коммутациииз кремниядля автомобильных технологий

Транзистор БТИЗ - RGW00TS65CHR - ROHM Semiconductor - для коммутации / из кремния / для автомобильных технологий
Транзистор БТИЗ - RGW00TS65CHR - ROHM Semiconductor - для коммутации / из кремния / для автомобильных технологий
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Тип
БТИЗ
Тип
для коммутации
Другие характеристики
из кремния, для автомобильных технологий
Ток

50 A

Напряжение

650 V

Описание

Серия RGWxx65C - это 650-вольтовые IGBT со встроенным диодом SiC с барьером Шоттки, который снижает потери при включении. Это изделие соответствует стандарту AEC-Q101. Его можно смело использовать даже в жестких условиях эксплуатации, например, в бортовых зарядных устройствах xEV, DC/DC-преобразователях, кондиционерах солнечной энергии и ИБП. Соответствие стандарту AEC-Q101 Низкое напряжение насыщения коллектора и эмиттера Низкие потери при переключении и плавное переключение Встроенный невосстанавливающийся карбид кремния SBD Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

---

Каталоги

RGW00TS65CHR
RGW00TS65CHR
15 Страницы
Power Device Catalog
Power Device Catalog
36 Страницы
Power Solutions Catalog
Power Solutions Catalog
9 Страницы
* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.