Транзистор MOSFET ISP25DP06NM
мощностидля коммутациилавинный

транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Тип
MOSFET
Тип
мощности, для коммутации
Другие характеристики
лавинный
Ток

-1,9 A

Напряжение

-60 V

Описание

P-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ в корпусе SOT-223 идеально подходят для коммутации нагрузки, управления аккумуляторами, а также для защиты от обратной полярности. Основным преимуществом P-канальных МОП-транзисторов OptiMOS™ является упрощение сложности проектирования в приложениях средней и малой мощности. Простота интерфейса с микроконтроллером (MCU), быстрое переключение, а также лавинная прочность делают P-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ от Infineon подходящими для высококачественных приложений с высокими требованиями. Продукция повышает эффективность при низких нагрузках благодаря низкому Qg.и доступна в нормальном и логическом уровнях с широким диапазоном RDS(on). Краткое описание характеристик: Широкий диапазон RDS(on) Наличие нормального уровня и логического уровня Преимущества: Простой интерфейс с MCU Повышенная эффективность при низких нагрузках благодаря низкому Qg Быстрое переключение Лавинная прочность Целевые применения: Батарея Потребитель Промышленная автоматизация Промышленные приводы

---

Каталоги

Для этого товара не доступен ни один каталог.

Посмотреть все каталоги Infineon Technologies AG

Другие изделия Infineon Technologies AG

Power MOSFET

* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.