Транзистор MOSFET BSP170I

мощностидля коммутациилавинный

P-канальные силовые MOSFET OptiMOS™ идеально подходят для применения в схемах переключения нагрузки, управления аккумуляторными батареями и защиты от обратной полярности. Основным преимуществом P-канальных силовых MOSFET OptiMOS™ является упрощение конструкции в системах средней и малой мощности. Благодаря простому подключению к микроконтроллеру (MCU), быстрой скорости переключения и устойчивости к лавинным разрядам мощные MOSFET OptiMOS™ компании Infineon подходят для применений, требующих высокого качества. Характеристики Низкое сопротивление в включенном состоянии 100 % проверка на лавинную прочность Логический уровень Безсвинцовое покрытие выводов; соответствие требованиям RoHS Сертифицированы для промышленного применения Преимущества Простое подключение к микроконтроллеру (MCU) Повышенный КПД при низких нагрузках Быстрое переключение Устойчивость к лавинным разрядам Лучшее в своём классе качество и надёжность