Транзистор MOSFET IPD650P06NM
мощностидля коммутациилавинный

транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Тип
MOSFET
Тип
мощности, для коммутации
Другие характеристики
лавинный
Ток

-22 A

Напряжение

-60 V

Описание

Р-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ в корпусе DPAK представляют собой новую технологию, предназначенную для приложений управления аккумуляторами, переключения нагрузки и защиты от обратной полярности. Основным преимуществом P-канального устройства является снижение сложности проектирования в приложениях средней и малой мощности. Простой интерфейс с MCU, быстрое переключение, а также лавинная прочность делают его пригодным для высококачественных требовательных приложений. Они выпускаются с нормальным и логическим уровнем, характеризуются широким диапазоном RDS(on) и повышают эффективность при низких нагрузках благодаря низкому Qg. Краткое описание характеристик: Широкий диапазон RDS(on) Наличие нормального уровня и логического уровня Преимущества: Простой интерфейс с MCU Повышенная эффективность при низких нагрузках благодаря низкому Qg Быстрое переключение Лавинная прочность Потенциальные применения Аккумулятор Потребитель Промышленная автоматизация Промышленные приводы

---

Каталоги

Для этого товара не доступен ни один каталог.

Посмотреть все каталоги Infineon Technologies AG

Другие изделия Infineon Technologies AG

Power MOSFET

* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.