Двухполюсный транзистор

мощностииз кремния

Диоды являются лидером рынка в области биполярных транзисторов. Благодаря широкому ассортименту собственной упаковки и превосходной кремниевой технологии диоды идеально подходят для решения ваших задач, связанных с биполярными транзисторами. Постоянная инновация Портфель биполярных транзисторов основан на следующих поколениях наших инновационных матричных излучателей. Многолетнее ноу-хау, передовые разработки и технологические инновации расширили наше лидерство в создании транзисторов со сверхнизким насыщением и высокой скоростью переключения. Лучшая в своем классе производительность Сосредоточившись на оптимизации процессов для самого низкого напряжения насыщения, уменьшении площади матрицы и, как следствие, улучшении коммутационных характеристик, достигается снижение рассеиваемой мощности, что позволяет устанавливать все более компактные корпуса, отвечающие требованиям целевых применений. Присущая биполярам устойчивость к электростатическому разряду наряду с очень низким удельным сопротивлением при вращении также делает их очень экономичными альтернативами технологии MOSFET в широком диапазоне топологий электрических цепей. Специальные продукты для конкретного применения Требования рынка к усовершенствованным электронным системным решениям, будь то с точки зрения повышения эффективности, увеличения удельной мощности или просто снижения затрат, являются движущей силой всех наших специализированных продуктов. Лавинные транзисторы, драйверы Gate и устройства H-bridge были разработаны для создания специализированных решений в соответствии с потребностями клиентов и сочетают в себе преимущества исключительной производительности транзисторных головок с опытом упаковки диодов.