＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Ток: 0,8 A
Напряжение: 50 V
... Усиление постоянного тока hFE Макс. 400:400 Усиление постоянного тока hFE мин.: 160 Описание:TO-92, 50V, 0.8A, NPN биполярный транзистор IC (A):0.8 PD (W):0.625 Пакет:TO-92 Полярность:NPN Статус:Активный ТиДжей Макс. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...
Ток: -4 A
Напряжение: -20 V
... RV5C040AP - MOSFET для переключателя нагрузки с защитным диодом G-S. Низкое сопротивление при включении -1,5 В Встроенный диод защиты G-S Малый корпус DFN Покрытие выводов без содержания Pb; соответствует RoHS ...
ROHM Semiconductor
блок транзисторов MOSFETRSQ030N08HZG
Ток: 3 A
Напряжение: 80 V
... RSQ030N08HZG - это МОП-транзистор для коммутационных приложений. Это высоконадежный продукт автомобильного класса, отвечающий требованиям стандарта AEC-Q101. Низкое сопротивление при включении Встроенный защитный диод G-S Малый корпус ...
ROHM Semiconductor
блок транзисторов MOSFETRUR040N02HZG
Ток: 4 A
Напряжение: 20 V
... RUR040N02HZG - это МОП-транзистор для коммутационных приложений. Это высоконадежный продукт автомобильного класса, отвечающий требованиям стандарта AEC-Q101. 1.5 В преобразователь Низкое сопротивление включения Встроенный защитный диод ...
ROHM Semiconductor
блок транзисторов MOSFETRTQ035P02HZG
Ток: -3,5 A
Напряжение: -20 V
... RTQ035P02HZG - это МОП-транзистор для коммутационных приложений. Это высоконадежный продукт автомобильного класса, отвечающий требованиям стандарта AEC-Q101. Низкое сопротивление при включении Встроенный защитный диод G-S Малый корпус ...
ROHM Semiconductor
блок транзисторов MOSFETRTR020N05HZG
Ток: 2 A
Напряжение: 45 V
... RTR020N05HZG - высоконадежный автомобильный МОП-транзистор, подходящий для коммутационных приложений. Низкое сопротивление при включении Встроенный диод защиты G-S Компактный корпус для поверхностного монтажа (TSMT3) Покрытие свинцом ...
ROHM Semiconductor
блок транзисторов MOSFETRSR025P03HZG
Ток: -2,5 A
Напряжение: -30 V
... RSR025P03HZG - это MOSFET автомобильного класса с защитным диодом G-S, подходящий для коммутации. Низкое сопротивление включения Встроенный защитный диод G-S Малый корпус для поверхностного монтажа (TSMT3) Покрытие свинцом без содержания ...
ROHM Semiconductor
блок транзисторов MOSFETRTR025N03HZG
Ток: 2,5 A
Напряжение: 30 V
... RTR025N03HZG - это высоконадежный транзистор автомобильного класса, подходящий для приложений коммутации. Низкое сопротивление включения Встроенный защитный диод G-S Малый корпус для поверхностного монтажа (TSMT3) Покрытие свинцом без ...
ROHM Semiconductor
Ток: -5 A
Напряжение: -12 V
... RQ6A050ZP - MOSFET с низким включением и сопротивлением, встроенный защитный диод G-S для коммутационного применения. Низкое включение - сопротивление. Встроенный диод защиты G-S. Малый пакет для поверхностного монтажа (TSMT6). ...
ROHM Semiconductor
Ток: 3,5 A
Напряжение: 30 V
... RQ6E035TN - MOSFET с низким включением и сопротивлением, встроенный защитный диод G-S для коммутационного применения. Низкое включение - сопротивление. Встроенный диод защиты G-S. Малый пакет для поверхностного монтажа (TSMT6). ...
ROHM Semiconductor
Напряжение: 45 V
... ОПИСАНИЕ: Типы ЦЕНТРАЛЬНЫХ СЕМИКОНДУКТОРОВ BCX51, BCX52 и BCX53 - это кремниевые транзисторы PNP Изготавливается по эпитаксиально-плоскостному процессу, эпоксидная форма в корпусе для поверхностного монтажа, предназначенном для применения ...
Central Semiconductor
Напряжение: 50 V
... ОПИСАНИЕ: Центральный полупроводниковый CMKT3920 (два одиночных транзистора NPN) представляет собой двойную комбинацию в пространстве экономичный пакет SOT-363 ULTRAmini™, предназначенный для небольших усилителей сигнала общего назначения ...
Central Semiconductor
Напряжение: 50 V
... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР CMPT5086, CMPT5086B и CMPT5087 являются кремниевыми PNP транзисторами произведенный эпитаксиальным плоским способом, эпоксидная смола отлитая в упаковке для поверхностного монтажа, предназначенная для применения, ...
Central Semiconductor
Напряжение: 60 V
... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР BCV47 - это кремниевый транзистор NPN Дарлингтон, изготовленный по эпитаксиальному плоскостному процессу, эпоксидное литье которого выполнено в корпусе для поверхностного монтажа, предназначенный для ...
Central Semiconductor
Напряжение: 60 V
Central Semiconductor
Напряжение: 50, 100 V
... FMMT413 - это кремниевый плоскостной двухполюсный транзистор NPN, оптимизированный для работы в лавинном режиме. Тесное управление процессом и низкая индуктивность в сочетании позволяют получать импульсы высокого тока с быстрыми краями, ...
Diodes Incorporated
Ток: 0,5 A - 2 A
Напряжение: 30 V - 140 V
... Особенности и преимущества BVCEO > -60V Транзистор Дарлингтона hFE > 10k @ 100mA для высокого коэффициента усиления IC = -500mA Высокий постоянный ток коллектора Дополнительный тип PNP Дарлингтона: BCV47 Полностью без свинца и полностью ...
Diodes Incorporated
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось