Блок транзисторов MOSFET RQ6E035TN
для слабых сигналовдля коммутацииустановленный на поверхности

блок транзисторов MOSFET
блок транзисторов MOSFET
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Тип
MOSFET
Тип
для коммутации, для слабых сигналов
Другие характеристики
установленный на поверхности
Ток

3,5 A

Напряжение

30 V

Описание

RQ6E035TN - MOSFET с низким включением и сопротивлением, встроенный защитный диод G-S для коммутационного применения. Низкое включение - сопротивление. Встроенный диод защиты G-S. Малый пакет для поверхностного монтажа (TSMT6). Покрытие свинцом без содержания Pb; соответствует RoHS.

---

Каталоги

Short Form Catalog
Short Form Catalog
308 Страницы

Другие изделия ROHM Semiconductor

MOSFETs

* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.