＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Напряжение: 60 V
... Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN Области применения Данный продукт является изделием общего назначения и подходит для различных областей применения. ...
Ток: 81 A
Напряжение: 1 200 V
... SCT4018KE - это SiC MOSFET, который способствует миниатюризации и низкому энергопотреблению приложений. Это изделие 4-го поколения, в котором достигнуто лучшее в отрасли низкое сопротивление включения без ущерба для времени устойчивости ...
ROHM Semiconductor
Ток: 51 A
Напряжение: 750 V
... SCT4026DW7 представляет собой SiC (карбид кремния) траншейный МОП-транзистор. К его особенностям относятся высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление включения и высокая скорость переключения. Преимущества SiC MOSFET 4-го ...
ROHM Semiconductor
Ток: 75 A
Напряжение: 1 200 V
... SCT4018KW7 - это SiC (карбид кремния) траншейный МОП-транзистор. К его особенностям относятся высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление включения и высокая скорость переключения. Преимущества SiC MOSFET 4-го поколения от ...
ROHM Semiconductor
Ток: 31 A
Напряжение: 750 V
... SCT4045DW7 - это SiC (карбид кремния) траншейный МОП-транзистор. К его особенностям относятся высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление включения и высокая скорость переключения. Преимущества SiC MOSFET 4-го поколения от ...
ROHM Semiconductor
Ток: 24 A
Напряжение: 1 200 V
... SCT4062KW7 - это SiC (карбид кремния) траншейный МОП-транзистор. К его особенностям относятся высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление включения и высокая скорость переключения. Преимущества SiC MOSFET 4-го поколения от ...
ROHM Semiconductor
Ток: 98 A
Напряжение: 750 V
... SCT4013DW7 - это SiC (карбид кремния) траншейный МОП-транзистор. К его особенностям относятся высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление включения и высокая скорость переключения. Преимущества SiC MOSFET 4-го поколения от ...
ROHM Semiconductor
Ток: 34 A
Напряжение: 750 V
... Продукция автомобильного класса, отвечающая требованиям AEC-Q101. SCT4045DRHR представляет собой SiC (карбид кремния) траншейный МОП-транзистор. К его особенностям относятся высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление включения ...
ROHM Semiconductor
Ток: 31 A
Напряжение: 750 V
... Продукт автомобильного класса, отвечающий требованиям стандарта AEC-Q101. SCT4045DW7HR представляет собой SiC (карбид кремния) траншейный МОП-транзистор. К его особенностям относятся высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление ...
ROHM Semiconductor
Ток: 26 A
Напряжение: 1 200 V
... Продукт автомобильного класса, отвечающий требованиям стандарта AEC-Q101. SCT4062KRHR представляет собой SiC (карбид кремния) траншейный МОП-транзистор. К его особенностям относятся высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление ...
ROHM Semiconductor
Ток: 24 A
Напряжение: 1 200 V
... Продукт автомобильного класса, отвечающий требованиям стандарта AEC-Q101. SCT4062KW7HR представляет собой SiC (карбид кремния) траншейный МОП-транзистор. К его особенностям относятся высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление ...
ROHM Semiconductor
Ток: 24 A
Напряжение: 1 700 V
... В устройстве используется технология диффузионного коллектора в планарном исполнении с использованием "улучшенной высоковольтной структуры" (EHVS1), разработанной для ЭЛТ-дисплеев высокой четкости. Новая серия продуктов HD демонстрирует ...
Напряжение: 45 V
... ОПИСАНИЕ: Типы ЦЕНТРАЛЬНЫХ СЕМИКОНДУКТОРОВ BCX51, BCX52 и BCX53 - это кремниевые транзисторы PNP Изготавливается по эпитаксиально-плоскостному процессу, эпоксидная форма в корпусе для поверхностного монтажа, предназначенном для применения ...
Central Semiconductor
Напряжение: 50 V
... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР CMPT5086, CMPT5086B и CMPT5087 являются кремниевыми PNP транзисторами произведенный эпитаксиальным плоским способом, эпоксидная смола отлитая в упаковке для поверхностного монтажа, предназначенная для применения, ...
Central Semiconductor
Напряжение: 60 V
... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР BCV47 - это кремниевый транзистор NPN Дарлингтон, изготовленный по эпитаксиальному плоскостному процессу, эпоксидное литье которого выполнено в корпусе для поверхностного монтажа, предназначенный для ...
Central Semiconductor
Напряжение: 60 V
Central Semiconductor
... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР CMPFJ175 и CMPFJ176 являются эпоксидными формованными P-канальными JFET Изготовлен в корпусе SOT-23, предназначенном для использования с низкоуровневыми усилителями. МАРКИРОВОЧНЫЕ КОДЫ CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...
Central Semiconductor
Напряжение: 30 V
... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР CMPFJ175 и CMPFJ176 являются эпоксидными формованными P-канальными JFET Изготовлен в корпусе SOT-23, предназначенном для использования с низкоуровневыми усилителями. МАРКИРОВОЧНЫЕ КОДЫ CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...
Central Semiconductor
Напряжение: 40 V
... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР CMPP6027 и CMPP6028 - это кремниевые программируемые унижекторные транзисторы, изготовленные в корпусе поверхностного монтажа SOT-23, предназначенные для регулируемых (программируемых) характеристик, ...
Central Semiconductor
Ток: 200 mA
Напряжение: 40 V
... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР CMLM0405 представляет собой один NPN транзистор и диод Шотки, упакованный в компактный корпус SOT-563, предназначенный для использования с малыми размерами сигнала общего назначения, где основными требованиями ...
Central Semiconductor
Ток: 1 A
Напряжение: 25, 40, 6 V
... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР CTLM1034-832D состоит из транзистора NPN низкого VCE(SAT) и выпрямителя низкого VF Шотки. Упакованный в маленький, термически эффективный, бессвинцовый корпус 3x2mm поверхностного монтажа, он предназначен ...
Central Semiconductor
Ток: 1 A - 5 A
Напряжение: 12 V - 400 V
... Диоды являются лидером рынка в области биполярных транзисторов. Благодаря широкому ассортименту собственной упаковки и превосходной кремниевой технологии диоды идеально подходят для решения ваших задач, связанных с биполярными транзисторами. Постоянная ...
Diodes Incorporated
Напряжение: 50, 100 V
... FMMT413 - это кремниевый плоскостной двухполюсный транзистор NPN, оптимизированный для работы в лавинном режиме. Тесное управление процессом и низкая индуктивность в сочетании позволяют получать импульсы высокого тока с быстрыми краями, ...
Diodes Incorporated
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось