Транзистор MOSFET SCT4045DRHR
для коммутациииз кремниядля автомобильных технологий

Транзистор MOSFET - SCT4045DRHR - ROHM Semiconductor - для коммутации / из кремния / для автомобильных технологий
Транзистор MOSFET - SCT4045DRHR - ROHM Semiconductor - для коммутации / из кремния / для автомобильных технологий
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Тип
MOSFET
Тип
для коммутации
Другие характеристики
из кремния, для автомобильных технологий
Ток

34 A

Напряжение

750 V

Описание

Продукция автомобильного класса, отвечающая требованиям AEC-Q101. SCT4045DRHR представляет собой SiC (карбид кремния) траншейный МОП-транзистор. К его особенностям относятся высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление включения и высокая скорость переключения. Преимущества SiC MOSFET 4-го поколения от ROHM Данная серия имеет примерно 40% снижение сопротивления включения и около 50% снижение потерь при переключении по сравнению с обычными изделиями. Напряжение затвор-исток 15 В упрощает разработку приложений. Квалифицированы по стандарту AEC-Q101 Низкое сопротивление включения Быстрая скорость переключения Быстрое обратное восстановление Простота параллельного подключения Простота управления Не содержащее Pb свинцовое покрытие; соответствует RoHS

---

Каталоги

Power Device Catalog
Power Device Catalog
36 Страницы

Другие изделия ROHM Semiconductor

Silicon-carbide (SiC) Power Devices

* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.