МОП-структура из карбида кремния SCT4036KW7
из карбида кремния

МОП-структура из карбида кремния - SCT4036KW7 - ROHM Semiconductor - из карбида кремния
МОП-структура из карбида кремния - SCT4036KW7 - ROHM Semiconductor - из карбида кремния
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Материал
из карбида кремния

Описание

SCT4036KW7 - это SiC (карбид кремния) траншейный МОП-транзистор. К его особенностям относятся высокая вольтамперная стойкость, низкое сопротивление включения и высокая скорость переключения. Преимущества 4-го поколения SiC MOSFET компании ROHM По сравнению с традиционными изделиями эта серия имеет примерно 40%-ное снижение сопротивления включения и примерно 50%-ное снижение потерь на переключение. Напряжение затвор-исток 15 В облегчает разработку приложений. Низкое сопротивление включения Высокая скорость переключения Быстрое обратное восстановление Простота параллельного включения Простота управления Не содержащее Pb свинцовое покрытие; соответствие RoHS

---

Каталоги

Power Device Catalog
Power Device Catalog
36 Страницы

Другие изделия ROHM Semiconductor

Silicon-carbide (SiC) Power Devices

* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.