МОП-структуры

7 компании | 35 товаров
{{#pushedProductsPlacement4.length}} {{#each pushedProductsPlacement4}}
{{product.productLabel}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement4.length}}
{{#pushedProductsPlacement5.length}} {{#each pushedProductsPlacement5}}
{{product.productLabel}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement5.length}}
МОП-структура
МОП-структура
N, P channel

... Особенности: ВДСС до 4500 В ID25: 0.1A - 250A Легко монтируется Экономия места Высокая удельная мощность высоковольтные изолированные пакеты Сверхнизкий RDS(on) - всего 6 миллиометров ...

МОП-структура для слабых сигналов
МОП-структура для слабых сигналов
QS6J1

... 20V Pch+Pch Маленький МОПФЕТ сигнала 20V Особенности: Низкий уровень - сопротивление. Встроенный G-S Защитный диод. Маленький поверхностный монтажный комплект (TSMT6). Покрытие без свинца; соответствует требованиям директивы RoHS. ...

Показать другие изделия
ROHM Semiconductor
МОП-структура из кремния
МОП-структура из кремния

... Использование передовых технологий и оптимизированный дизайн стружки позволили получить МОП-транзисторы 200В/250В с высокими эксплуатационными характеристиками при погружении/выпадении напряжения. Серия RC обеспечивает высокую эффективность ...

Показать другие изделия
ROHM Semiconductor
МОП-структура для слабых сигналов
МОП-структура для слабых сигналов
HP, QH, R series

... МОП-транзисторы ROHMs MOSFET имеют широкий тип привода от 0,9 В до 10 В и поддерживают от малого сигнала до высокой мощности. Пакет имеет широкий модельный ряд размеров из микроминиатюрного пакета размером 0604 и способствует экономии ...

Показать другие изделия
ROHM Semiconductor
МОП-структура для использования в автомобиле
МОП-структура для использования в автомобиле

Полевые транзисторы с изолированным затвором 12–300 В Toshiba предлагает широкий ассортимент полевых транзисторов с изолированным затвором с показателями VDSS от низкого до среднего в различных корпусах: начиная от ультрамалых для систем ...

Показать другие изделия
Toshiba America Electronics Components
МОП-структура для использования в автомобиле
МОП-структура для использования в автомобиле
FD, HUF series

... Автомобильные МОП-транзисторы N-канала, созданные Fairchild, обладают рядом отличительных характеристик, включая возможности ИСЮ, совместимость с RoHS, типичный RDS(on) = 90.5 mΩ при VGS = 10 В, ID = 4 А, типичный Qg(tot) = 11.3 нК при ...

МОП-структура
МОП-структура
CDM22010-650

... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР CDM22010-650 представляет собой N-канальный МОП-транзистор высокого тока 650 Вольт, предназначенный для высоковольтных и быстрых переключений, таких как коррекция коэффициента мощности (КРМ), освещение ...

МОП-структура из кремния
МОП-структура из кремния
CDM2205-800FP

... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР CDM2205-800FP представляет собой 800-вольтовый N-канальный МОП-транзистор, предназначенный для высоковольтных и быстрых переключений, например, для коррекции коэффициента мощности (КРМ), освещения и ...

МОП-структура
МОП-структура
CDM2206-800LR

... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР CDM2206-800LR представляет собой 800-вольтовый N-канальный МОП-транзистор, предназначенный для высоковольтных и быстрых переключений, например, для коррекции коэффициента мощности (КРМ), освещения и ...

МОП-структура
МОП-структура

МОП-структура высокое напряжение на сопротивлении
МОП-структура высокое напряжение на сопротивлении
RVS47N60PN

... RVS47N60PN/PT - это N-канальные МОП-транзисторы повышенной мощности, созданные с использованием новой платформы технологии Rongtech Mos. Обеспечивает низкие потери проводимости и коммутационные потери. Это приводит инженеров-конструкторов ...

Показать другие изделия
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,