- Электричество - Электроника
- Электронный компонент
- Транзистор MOSFET
- ROHM Semiconductor
Блок транзисторов MOSFET SCT2H12NYдля коммутациимощностииз кремния
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
Характеристики
- Тип
- MOSFET
- Тип
- для коммутации, мощности
- Другие характеристики
- из кремния
- Ток
4 A
- Напряжение
1 700 V
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор SiC (карбид кремния).
Низкое сопротивление включения
Высокая скорость переключения
Большое расстояние ползучести без центрального вывода
Простота управления
Не содержащее Pb покрытие выводов; соответствует требованиям RoHS
---
Каталоги
Industrial Motor Solutions
40 Страницы
Short Form Catalog
308 Страницы
Другие изделия ROHM Semiconductor
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
Расширенный поиск
- Однополюсный переключатель
- Переключатель технология
- Диод
- Блок транзисторов
- Резистор на печатной плате
- Резистор мощности
- Блок транзисторов мощности
- Диод для монтажа на поверхности
- Диод с большой скоростью переключения
- Блок транзисторов для коммутации
- Транзистор с полевым эффектом
- Блок транзисторов MOSFET
- Резистор с тонким слоем
- Двухполюсный транзистор
- Резистор с двойным слоем
- Преобразователь мощности
- Модуль с диодами
- Изолированный преобразователь
- Резистор высокой мощности
- Быстрый преобразователь
* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.