МОП-структура для использования в автомобиле SCT4018KTWHR

высокое напряжение на сопротивлениивысокоскоростнаяSiC

Обзор Данный продукт представляет собой MOSFET на основе SiC в корпусе TSC3PAK. Благодаря применению конструкции с верхним отводом тепла, при которой поверхность отвода тепла расположена на верхней стороне корпуса, продукт позволяет осуществлять автоматическую установку, обеспечивая при этом характеристики теплоотвода, сопоставимые с традиционными корпусами с сквозными отверстиями. Запатентованная компанией ROHM структура с канавками обеспечивает расстояние между изоляционными поверхностями 6,66 мм, что позволяет выдерживать пиковое переменное напряжение 1200 В в условиях 2-й степени загрязнения. Устройство обладает низким сопротивлением в включенном состоянии и высокими скоростными характеристиками переключения, что снижает потери при переключении и повышает эффективность и надёжность в схемах преобразования мощности для бортовых зарядных устройств (OBC), электрических компрессоров для xEV, фотоэлектрических инверторов и источников питания серверов. Основные характеристики

• Сертифицировано по стандарту AEC-Q101 (автомобильный класс)
• Корпус: TSC3PAK с отводом тепла через верхнюю поверхность
• Большое расстояние утечки: мин. 6,66 мм
• Низкое сопротивление в включенном состоянии (тип. RDS(on): 18 мОм)
• Высокая скорость переключения и быстрое восстановление в обратном направлении
• Простота параллельного подключения
• Простота управления
• Безсвинцовое покрытие выводов; соответствие требованиям RoHS

Области применения Бортовые зарядные устройства (OBC) и электрические компрессоры в xEV; фотоэлектрические инверторы; высокопроизводительные серверные источники питания и другое высоковольтное оборудование для преобразования энергии. Информация о детали Артикул | SCT4018KTWHRTCR Статус | Рекомендуется Корпус | TSC3PAK Тип упаковки | На ленте Количество в единице | 600 Минимальный объем заказа | 600 RoHS | Да MSL | 1 Технические характеристики (выборочно) Напряжение сток-исток [В] : 1200 Сопротивление сток-исток в включенном состоянии (тип.) [мОм] : 18 Поколение : 4-е поколение (Trench) Ток стока [А] : 79 Общая рассеиваемая мощность [Вт] : 294 Температура перехода (макс.) [°C] : 175 Температура хранения (мин.) [°C] : -40 Температура хранения (макс.) [°C]: 175 Размер корпуса [мм]: 14,0 x 18,58 (t=3,625) Применимый стандарт: AEC-Q101 (автомобильный класс) Характеристики (подробно)

• Конструкция с отводом тепла с верхней стороны в корпусе для поверхностного монтажа, обеспечивающая теплоотвод, сопоставимый с корпусами для монтажа в отверстия (например, эквивалентами TO-247)
• Запатентованная канавка в корпусе, обеспечивающая большое расстояние утечки для высоковольтной изоляции
• Технология SiC-MOSFET 4-го поколения от ROHM: низкое сопротивление в включенном состоянии и сниженные потери при переключении
• Разработан для автоматической установки с сохранением высоких тепловых характеристик

характеристики / технические спецификации

• Артикул (страница продукта): SCT4018KTWHRTCR (также обозначается как SCT4018KTWHR)
• Тип устройства: MOSFET на основе карбида кремния (SiC)
• Корпус: TSC3PAK (поверхностный монтаж, отвод тепла с верхней стороны)
• VDSS (напряжение сток-исток): 1200 В
• RDS(on) (тип.): 18 мОм
• Номинальный ток стока: 79 А
• Общая рассеиваемая мощность: 294 Вт
• Максимальная температура перехода: 175 °C
• Температура хранения: от -40 °C до 175 °C
• Размеры корпуса: 14,0 × 18,58 мм (толщина 3,625 мм)
• Расстояние утечки: не менее 6,66 мм (выдерживает пиковое переменное напряжение 1200 В при степени загрязнения 2)
• Поколение / структура: 4-е поколение (Trench)
• Соответствие стандартам / качество: AEC-Q101 (автомобильный класс), соответствует требованиям RoHS
• Упаковка: на ленте; количество штук в катушке: 600; минимальный объем заказа: 600