＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Ток: 50 mA
Напряжение: 30 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 и CMPFJ176 - это эпоксидные формованные P-канальные JFET-транзисторы изготовленные в корпусе SOT-23 и предназначенные для применения в усилителях низкого уровня. КОДЫ МАРКИРОВКИ: CMPFJ175: 6 ВТ CMPFJ176: ...
Central Semiconductor
Напряжение: 30 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 и CMPFJ176 - это эпоксидные формованные P-канальные JFET-транзисторы изготовленные в корпусе SOT-23 и предназначенные для применения в усилителях низкого уровня. КОДЫ МАРКИРОВКИ: CMPFJ175: 6 ВТ CMPFJ176: ...
Central Semiconductor
... GaN HEMTs, GaAs FETs, MMICs и малошумящие HEMT-решения обеспечивают высокую производительность и бескомпромиссную надежность для радаров, базовых станций, SATCOM, "точка-точка" и космических приложений. ...
... Особенности Ультранизкий уровень шума PHEMT. Этот процесс оптимизирован для обеспечения очень низкого коэффициента шума для критически важных базовых станций сотовой связи/PCS и других беспроводных радиочастотных приложений, высокой согласованности ...
Broadcom
... ATF-355143 - это высокодинамичный, малошумный, с низким уровнем шума, корпус PHEMT в 4-х свинцовом корпусе SC-70 из пластика для поверхностного монтажа. ...
Broadcom
Broadcom
... Avago имеет обширный портфель кремниевых биполярных РФ транзисторов и GaAs FET Радиочастотные транзисторы GaAs FET идеально подходят для первого или второго каскада базовой станции LNA благодаря превосходному ...
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось