＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
... Особенности Ультранизкий уровень шума PHEMT. Этот процесс оптимизирован для обеспечения очень низкого коэффициента шума для критически важных базовых станций сотовой связи/PCS и других беспроводных радиочастотных приложений, высокой согласованности ...
Broadcom
... ATF-355143 - это высокодинамичный, малошумный, с низким уровнем шума, корпус PHEMT в 4-х свинцовом корпусе SC-70 из пластика для поверхностного монтажа. ...
Broadcom
Broadcom
Ток: 4 A
Напряжение: 650 V
... Серия R6xxxENx - это малошумящие изделия, МОП-транзисторы Super Junction, в которых особое внимание уделяется простоте использования. Изделия этой серии обладают превосходными характеристиками, позволяющими снизить уровень шума в чувствительных ...
ROHM Semiconductor
Ток: 1,7 A
Напряжение: 600 V
... Серия R6xxxENx - это малошумные изделия, МОП-транзисторы с суперпереходом, в которых особое внимание уделяется простоте использования. Изделия этой серии достигают превосходных характеристик для чувствительных к шуму приложений для снижения ...
ROHM Semiconductor
Ток: 76 A
Напряжение: 600 V
... R6076ENZ4 - силовой МОП-транзистор для коммутационных приложений. Низкое сопротивление включения Быстрая скорость переключения Параллельное использование легко Покрытие без Pb; соответствует RoHS ...
ROHM Semiconductor
Ток: 4 A
Напряжение: 600 V
... Силовой MOSFET R6004END3 подходит для импульсного источника питания. Низкое сопротивление включения Низкий уровень радиационного шума Быстрое переключение Параллельное использование легко Покрытие без Pb; соответствует RoHS ...
ROHM Semiconductor
Ток: 11 A
Напряжение: 650 V
... R6511ENX - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и быстрым переключением, подходящий для применения в коммутации. Низкое сопротивление включения Быстрая скорость переключения Параллельное использование легко Покрытие ...
ROHM Semiconductor
Ток: 11 A
Напряжение: 650 V
... R6511ENJ - силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и быстрым переключением, подходящий для применения в коммутации. Низкое сопротивление включения Быстрая скорость переключения Параллельное использование легко Покрытие ...
ROHM Semiconductor
Ток: 24 A
Напряжение: 650 V
... R6524ENJ - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и быстрым переключением, подходящий для применения в коммутации. Низкое сопротивление включения Быстрая скорость переключения Параллельное использование легко Покрытие ...
ROHM Semiconductor
Ток: 30 A
Напряжение: 650 V
... R6530ENX - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и высокой скоростью переключения, подходящий для коммутации. Низкое сопротивление включения Быстрая скорость переключения Параллельное использование легко Покрытие ...
ROHM Semiconductor
Ток: 4 A
Напряжение: 600 V
... Силовые МОП-транзисторы изготавливаются как устройства с низким сопротивлением включения с помощью технологий микропроцессорной обработки, полезные для широкого спектра приложений. Широкий модельный ряд включает компактные типы, мощные ...
ROHM Semiconductor
Ток: 30 A
Напряжение: 600 V
... Силовые МОП-транзисторы изготавливаются как устройства с низким сопротивлением включения с помощью технологий микропроцессорной обработки, полезные для широкого спектра приложений. Широкий модельный ряд включает компактные типы, мощные ...
ROHM Semiconductor
Напряжение: 50 V
... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР CMPT5086, CMPT5086B и CMPT5087 являются кремниевыми PNP транзисторами произведенный эпитаксиальным плоским способом, эпоксидная смола отлитая в упаковке для поверхностного монтажа, предназначенная для применения, ...
... GaN HEMTs, GaAs FETs, MMICs и малошумящие HEMT-решения обеспечивают высокую производительность и бескомпромиссную надежность для радаров, базовых станций, SATCOM, "точка-точка" и космических приложений. ...
... Avago имеет обширный портфель кремниевых биполярных РФ транзисторов и GaAs FET Радиочастотные транзисторы GaAs FET идеально подходят для первого или второго каскада базовой станции LNA благодаря превосходному сочетанию низкого коэффициента ...
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось