＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Ток: -16,4 A
Напряжение: -60 V
... P-канальные МОП-транзисторы обычного и логического уровня, снижающие сложность проектирования в приложениях средней и малой мощности Р-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ на 60 В в корпусе DPAK представляют ...
Infineon Technologies AG
Напряжение: 7,5 V
... радиостанций UHF-диапазона Выходной каскад для портативной радиостанции диапазона 700-800 МГц Общий драйвер мощностью 6 Вт для транзисторов конечного каскада ISM и радиовещания ...
... Гнезда для силовых ИС Стандартный тип Одиночные в линию ●Как заказать ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Количество позиций от 2 до 16 Диэлектрическая прочность - Сопротивление изоляции - - - Рабочая температура EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x = ...
JC CHERRY INC.
... Гнездо среднего размера для силовых ИС Тип сквозного отверстия Двойной стиль 2.шаг 54 мм / 0,100" ●Как заказать ex: PDSP-CM1-Dxx-GG x: Количество позиций 04,12,20 (четное количество) *Что касается другого количества позиций, ...
JC CHERRY INC.
... подключения силовых транзисторов Шаг Высокая температура Низкое газовыделение Многополюсный тип Высоконадежный круглый контакт, обеспечивающий хорошие электрические и механические характеристики. Гнезда для тестирования ...
JC CHERRY INC.
Напряжение: 110, 265 V
... Описание: TOPSwitch-HX включает в себя МОП-транзистор 700 В, источник тока высокого напряжения, ШИМ-управление, генератор, цепь теплового отключения, защиту от неисправностей и другие схемы управления на монолитном устройстве. Низкая ...
Power Integrations
Ток: 5, 20, 30, 50 A
Напряжение: 600 V
... Дискретные IGBT-транзисторы Bourns® серии BID сочетают в себе технологии МОП-затвора и биполярного транзистора, создавая оптимальный компонент для высоковольтных и сильноточных приложений. В данном устройстве ...
Ток: 0,8 A
Напряжение: 50 V
... Усиление постоянного тока hFE Макс. 400:400 Усиление постоянного тока hFE мин.: 160 Описание:TO-92, 50V, 0.8A, NPN биполярный транзистор IC (A):0.8 PD (W):0.625 Пакет:TO-92 Полярность:NPN Статус:Активный ТиДжей Макс. ...
Ток: 25 mA
Напряжение: 20 V
... Напряжение коллектор-эмиттер - Vceo 20 В Постоянный ток коллектора - Ic - 25 мА Полярность - pol - NPN Рассеиваемая мощность - Ptot - 0,200 Вт Температура спая - Tjmax - 150 °C Коэффициент усиления по постоянному току - hfe - 85 - VcE ...
Diotec
Ток: 200 mA
Напряжение: 40 mV
... Типовые применения Обработка сигналов, Коммутация, усиление Коммерческий класс l) Характеристики Общее назначение Соответствует требованиям RoHS, REACH, Conflict Minerals *) ...
Diotec
Ток: 100 mA
Напряжение: 65, 45, 30 V
... Типовые применения Обработка сигналов Коммутация Усиление Коммерческий / промышленный класс Суффикс -Q: Соответствует стандарту AEC-Q101х) Суффикс -AQ: в соответствии с квалификацией AEC-Q101 *) Характеристики Общее назначение Три ...
Diotec
Ток: 1 mA - 20 mA
Напряжение: 2,7 V
Broadcom
Ток: 800 A
Напряжение: 1 200 V
... NXH800H120L7QDSG - это номинальный полумостовой IGBT-модуль питания. Встроенные IGBT с полевой остановкой Trench 7 и диоды 7-го поколения обеспечивают более низкие потери проводимости и коммутационные потери, позволяя разработчикам достичь ...
Fairchild Semiconductor
Ток: 150 A - 3 600 A
Напряжение: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V
... Силовые IGBT-модули Hitachi Energy выпускаются на напряжение от 1700 до 6500 вольт в виде одиночных, двойных / фазовых ножек, IGBT с прерывателем и двойных диодных модулей. Мощные IGBT-модули HiPak отличаются низкими потерями в сочетании ...
Ток: 8 A
Напряжение: 1 700 V
... QC962-8A - это интегрированный гибридный драйвер IGBT. Его основная функция - прием сигнала квадратной волны от контроллера и преобразование его в изолированный, усиленный сигнал гате, который управляет циклом включения и выключения IGBT. ...
MORNSUN Guangzhou Science & Technology Co.,Ltd.
Ток: 95 A
Напряжение: 40 V
... RH6G040BG - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и корпусом высокой мощности, подходящий для коммутации. Низкое сопротивление при включении Мощный малогабаритный пресс-пакет (HSMT8) Покрытие без ...
ROHM Semiconductor
Ток: 0,4 A - 45 A
Напряжение: 36 V - 70 V
... логический вход TTL (или логический вход CMOS для 5-контактных переключателей). Такие устройства совместимы с силовыми МОП-транзисторами, гарантируют управление нагрузкой в реальном времени и защищены от перегрева, что ...
STMicroelectronics
Ток: 3 000, 1 300, 2 000 A
Напряжение: 4 500, 5 200 V
... StakPak - это семейство высокомощных изолированных биполярных транзисторов затвора (IGBT), пресс-пакетов и диодов в усовершенствованном модульном корпусе, гарантирующем равномерное давление чипов в стеках с несколькими ...
SEMIKRON
Напряжение: -400 V - 1 000 V
... Компания Vishay является мировым лидером в производстве маломощных МОП-транзисторов. Линейка силовых МОП-транзисторов Vishay Siliconix включает устройства в более чем 30 типов корпусов, в том числе линейки ...
Напряжение: 45 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX51, BCX52 и BCX53 - это кремниевые транзисторы PNP изготовленные по эпитаксиальному планарному процессу, отлитые из эпоксидной смолы в корпусе для поверхностного монтажа и предназначенные для ...
Central Semiconductor
Ток: 2 A
Напряжение: 36 V
... С помощью этого МОП-транзистора можно управлять напряжением до 36 Вольт. С помощью широтно-импульсной модуляции можно понизить среднеквадратичное напряжение (например, для регулировки яркости светодиодной лампы). СОВМЕСТИМ ...
... GaN HEMTs, GaAs FETs, MMICs и малошумящие HEMT-решения обеспечивают высокую производительность и бескомпромиссную надежность для радаров, базовых станций, SATCOM, "точка-точка" и космических приложений. ...
Ток: 150 A
Напряжение: 600 V
... промышленном корпусе, что позволяет легко интегрировать устройство в существующее оборудование. IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором) используются в качестве коммутационных элементов в преобразователях ...
... Avago имеет обширный портфель кремниевых биполярных РФ транзисторов и GaAs FET Радиочастотные транзисторы GaAs FET идеально подходят для первого или второго каскада базовой станции LNA благодаря превосходному ...
Напряжение: 20, 50 V
... N-канальный МОП-транзистор и транзистор NPN в одном пакете Низкое сопротивление при включении Очень низкое пороговое напряжение ворот, макс. 1.0V Низкая входная емкость Скорость быстрого переключения ...
Diodes Incorporated
Ток: 10, 25 A
Напряжение: 1 200 V
... Особенности Траншея + Файловая остановка IGBT-технологии Возможность короткого замыкания -10 кадров в секунду -(Версат) с положительным температурным коэффициентом -Низкая индуктивность корпуса -Быстрое и мягкое реверсивное восстановление ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось