Инфракрасная система контроля TR7950Q SII

с камерой3DИИ

Введение
TR7950Q SII — модульная платформа для инспекции wafer и микрометрической метрологии, разработанная для передового производства полупроводников. Сочетает алгоритмы на базе ИИ и опциональные сенсорные модули (SWIR, 3D DFF, TSV/Thin-Film) для обнаружения подповерхностных дефектов и выполнения высокоточных измерений с целью оптимизации выхода продукции.

Особенности

• Высокоточная инспекция wafer
• Точные микроммерения с метрологическими возможностями
• Сверхвысокоскоростная метрология TSV и тонких пленок
• Обнаружение внутренних дефектов с опциональным SWIR-модулем
• Разрешение 0.5 µm / 1 µm доступно с опциональным DFF (Depth From Focus)
• Подходит для чистых помещений: ISO Class 5
• Измерение TSV: обнаружение глубины TSV, глубины траншеи
• Измерение тонких пленок: оксид, нитрид, PR, толщина PI

Оптическая система
Метод съемки: Stop-and-Go Imaging
Камера: 25 Mpix
Оптическое разрешение: 2.5 µm
Освещение: многофазный True Color LED; коаксиальное освещение
3D-технология: Quad Digital Fringe Projectors
Макс. 3D-высота: 600 μm

Обработка пластин и рам
Поддерживаемые размеры wafer: 6", 8", 12"
Поддерживаемые размеры рам: 8", 12"

Чистая комната
Класс чистой комнаты: ISO Class 5 (ISO 14644-1)

Стол перемещения и управление
Ось X: линейный мотор с контроллером движения + воздушный подшипник или линейная направляющая
Ось Y: линейный мотор с контроллером движения + воздушный подшипник или линейная направляющая
Ось Z: шарико-винтовая передача + линейная направляющая + AC серводвигатель с контроллером движения ИЛИ линейная направляющая + линейный мотор с контроллером движения
Разрешение по осям X-Y: 0.1 µm

Функции инспекции и метрологии
Patterned wafer: остатки, трещины, царапины, частицы, аномалии контактной площадки, изменение цвета, контаминация, отслаивание, следы зонда, измерение CD
Bump wafer: 2D размер bump, 3D высота bump, дефекты bump, посторонние материалы, измерение CD
Wafer frames: отколы, трещины, царапины, частицы, контаминация, измерение CD, 3D метрология распила
Топология wafer: толщина wafer, прогиб (warpage) верхней стороны
TSV: обнаружение глубины TSV, глубины траншеи
Тонкие пленки: толщина оксида, нитрида, PR, PI

Опциональные функции
Опциональные сенсорные технологии: 3D DFF модуль (0.55 или 1 µm), SWIR модуль (1, 2 или 4 µm), CSS модуль, TSV/Thin-Film модуль
TSV / Thin-Film модуль: размер пятна 50 µm / 25 µm; отношение сторон TSV до 30:1; диаметр via 3–20 µm; диапазон толщины пленки 100 nm – 30 µm

Габариты
WxDxH: 1235 x 2590 x 2050 mm (зависит от EFEM)
Вес: 2300 kg (без EFEM)

Примечания
* DFF и SWIR являются опциями и могут быть установлены; совместимы с модулями TSV/Thin-Film и CSS.

Технические характеристики

• Модель: TR7950Q SII
• Бренд: Test Research, Inc. (TRI)
• Метод съемки: Stop-and-Go Imaging
• Камера: 25 Mpix
• Оптическое разрешение: 2.5 µm
• 3D-технология: Quad Digital Fringe Projectors
• Макс. 3D-высота: 600 μm
• Освещение: многофазный True Color LED; коаксиальное освещение
• Поддерживаемые размеры wafer: 6", 8", 12"
• Поддерживаемые размеры рам: 8", 12"
• Чистая комната: ISO Class 5 (ISO 14644-1)
• Разрешение по осям X-Y: 0.1 µm
• Опциональные модули: SWIR (1/2/4 µm), 3D DFF (0.55 или 1 µm), CSS, TSV/Thin-Film модуль
• TSV модуль: размеры пятна 50 µm / 25 µm; отношение сторон до 30:1; диаметр via 3–20 µm
• Диапазон измерения толщины пленки: 100 nm – 30 µm
• Габариты (WxDxH): 1235 x 2590 x 2050 mm (зависит от EFEM)
• Вес (без EFEM): 2300 kg