Импульсный лазерный диод PVGS2S06H

наносекундас коротким импульсомтвердотельный

Обзор
PVGS2S06H — это лазерный диод в металлическом корпусе на длину волны 1550 нм в импульсном режиме, с одно-резонаторной (single‑cavity) структурой и двойным стеком (dual‑stack), ширина полосы (stripe) — 150 µm. Доступен в нескольких вариантах корпуса (включая TO‑52) и разработан для работы с высокой импульсной пиковой мощностью.

Технология и характеристики
Устройство представляет собой двойную гетероструктуру, выращенную методом MOCVD и ориентированную на 1550 нм, что позволяет использовать повышенные допустимые уровни излучения для обеспечения безопасной для глаз работы. При соответствующей интеграции и конфигурации возможна работа в классе 1 при относительно высоких уровнях выходной мощности. Архитектура оптимизирована для коротких импульсов с высокой пиковой мощностью.

Ключевые особенности

• Металлический корпус (опции TO‑52)
• Чип: одиночная полость, двойной стек
• Ширина полосы (stripe): 150 µm
• Разработан для коротких импульсов с высокой пиковой мощностью

Применения / Примечания
Предлагается в нескольких вариантах корпуса для соответствия требованиям системной интеграции. Стековые конфигурации позволяют масштабировать пик мощность для приложений, таких как дальномерие, LIDAR, оптические коммуникации в свободном пространстве и системы тестирования/измерения, требующие коротких мощных импульсов.

Технические характеристики

• Центральная длина волны: 1550 nm
• Архитектура чипа: одиночная полость, двойной стек
• Ширина полосы: 150 µm
• Пример измеренного выхода: 24 W при 20 A с импульсом 150 ns
• Пиковая импульсная мощность: до 50 W
• Стандартные предлагаемые пиковые мощности в семействе PVG: 7 W, 14 W и 58 W (семейные значения)
• Структура: квантовая яма
• Производство: двойная гетероструктура, выращенная методом MOCVD