Импульсный лазерный диод PVGR4S12H

наносекундатвердотельныйближний ИК-спектр

Обзор продукта
PVGR4S12H — это импульсный лазерный диод в металлическом корпусе для работы на 1550 нм. Устройство содержит однокавитную quad‑stack структуру с шириной полосы (stripe) 300 µm (12 mil) и поставляется в металлическом корпусе 9 mm CD. Испытанная пиковая выходная мощность составляет 58 W @ 40 A при импульсе 150 ns.

Технология и характеристики
Двойная гетероструктура с квантовыми ямами, выращенная методом MOCVD, оптимизирована для центральной длины волны 1550 нм. Выбор этой длины волны позволяет использовать более высокие допустимые уровни излучения для безопасной для глаза работы (возможна классификация Class 1 в соответствии с применимыми лимитами FDA и др.). Доступны варианты с разной пиково́й выходной мощностью для соответствия системным требованиям.

Особенности

• Импульсный лазерный диод в металлическом корпусе для промышленных применений
• Однокавитная архитектура чипа, quad‑stack
• Ширина полосы (stripe): 300 µm (12 mil)
• Доступен в нескольких вариантах корпуса, включая металлический корпус 9 mm CD

Документация
Доступен datasheet с электрическими, оптическими и механическими спецификациями, условиями тестирования и рекомендациями по обращению.

Технические характеристики

• Центральная длина волны: 1550 nm
• Архитектура чипа: однокавитная, quad‑stack
• Ширина полосы: 300 µm (12 mil)
• Испытанная пиковая мощность: 58 W @ 40 A при импульсе 150 ns
• Доступные варианты пиковой мощности: 7 W, 14 W, 58 W
• Возможность импульсной пиково́й мощности: до 58 W (зависит от модели)
• Активная структура: квантовая яма
• Метод выращивания: MOCVD двойная гетероструктура
• Корпус: металлический корпус (пример: 9 mm CD)