Импульсный лазерный диод PVGR2S06H

твердотельныйближний ИК-спектрс диодом

Обзор
PVGR2S06H — это импульсный лазерный диод в металлическом корпусе, рассчитанный на работу при 1550 нм. Он использует однокамерный чип с двойным стеком и шириной полосы 150 мкм, доступен в вариантах корпуса, например 9 мм CD в конфигурации 6 mils PLD. Типичные проверенные характеристики: 24 Вт при 20 А с импульсом 150 нс.

Технология и примечания по применению
Устройства этой серии — это лазерные диоды с двойной гетероструктурой и квантовыми ямами, выращенные методом MOCVD и настроенные на 1550 нм. Стандартные пиковые выходы семейства включают 7 Вт, 14 Вт и 58 Вт. Длина волны 1550 нм позволяет повысить допустимые уровни излучения для улучшения безопасности глаз, что при соответствующих условиях может обеспечить возможность эксплуатации в классе 1 при относительно высоких пиковых мощностях.

Ключевые характеристики

• Центральная длина волны: 1550 нм
• Импульсный лазерный диод в металлическом корпусе
• Архитектура чипа: однокамерный, двойной стек
• Ширина полосы: 150 мкм
• Проверенные характеристики: 24 Вт @ 20 А (импульс 150 нс)
• Варианты со стековой компоновкой для увеличения выходной мощности
• Квантово-ямная двойная гетероструктура, выращенная методом MOCVD
• Высокая пиковаая импульсная мощность: до 50 Вт

Характеристики / Технические спецификации

• Модель: PVGR2S06H
• Длина волны (центр): 1550 нм
• Архитектура чипа: однокамерный, двойной стек
• Ширина полосы: 150 мкм
• Корпус: металлический корпус (пример: 9 мм CD)
• Спецификация PLD: 6 mils PLD
• Типичная проверенная выходная мощность: 24 Вт при 20 А (импульс 150 нс)
• Пиковая импульсная мощность: до 50 Вт
• Рост/структура: MOCVD-выращенная двойная гетероструктура с квантовыми ямами
• Стандартные пиковые выходы семейства: 7 Вт, 14 Вт, 58 Вт
• Разработан для обеспечения более высоких допустимых уровней излучения при 1550 нм с целью улучшения безопасности глаз (потенциальная возможность работы в классе 1)