Транзисторы для коммутации ROHM Semiconductor

11 компании | 148 товаров
{{#pushedProductsPlacement4.length}} {{#each pushedProductsPlacement4}}
{{product.productLabel}}

{{product.productLabel}} {{product.model}}

{{#if product.featureValues}}
{{#each product.featureValues}} {{content}} {{/each}}
{{/if}}
{{#if product.productPrice }} {{#if product.productPrice.price }}

{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{/if}} {{/if}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}} {{#each product.productTagAssociationList}}
{{/each}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement4.length}}
{{#pushedProductsPlacement5.length}} {{#each pushedProductsPlacement5}}
{{product.productLabel}}

{{product.productLabel}} {{product.model}}

{{#if product.featureValues}}
{{#each product.featureValues}} {{content}} {{/each}}
{{/if}}
{{#if product.productPrice }} {{#if product.productPrice.price }}

{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{/if}} {{/if}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}} {{#each product.productTagAssociationList}}
{{/each}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement5.length}}
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPD900P06NM

Ток: -16,4 A
Напряжение: -60 V

... P-канальные МОП-транзисторы обычного и логического уровня, снижающие сложность проектирования в приложениях средней и малой мощности Р-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ на 60 В в корпусе DPAK представляют ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор биполярный транзистор с изолированным затвором
транзистор биполярный транзистор с изолированным затвором
BID series

Ток: 5, 20, 30, 50 A
Напряжение: 600 V

... Дискретные IGBT-транзисторы Bourns® серии BID сочетают в себе технологии МОП-затвора и биполярного транзистора, создавая оптимальный компонент для высоковольтных и сильноточных приложений. В данном устройстве ...

двухполюсный транзистор
двухполюсный транзистор
BC337-25

Ток: 0,8 A
Напряжение: 50 V

... Усиление постоянного тока hFE Макс. 400:400 Усиление постоянного тока hFE мин.: 160 Описание:TO-92, 50V, 0.8A, NPN биполярный транзистор IC (A):0.8 PD (W):0.625 Пакет:TO-92 Полярность:NPN Статус:Активный ТиДжей Макс. ...

блок транзисторов БТИЗ
блок транзисторов БТИЗ
NXH800H120L7QDSG

Ток: 800 A
Напряжение: 1 200 V

... NXH800H120L7QDSG - это номинальный полумостовой IGBT-модуль питания. Встроенные IGBT с полевой остановкой Trench 7 и диоды 7-го поколения обеспечивают более низкие потери проводимости и коммутационные потери, позволяя разработчикам достичь ...

Показать другие изделия
Fairchild Semiconductor
транзистор БТИЗ
транзистор БТИЗ
5SN series

Ток: 150 A - 3 600 A
Напряжение: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V

... Силовые IGBT-модули Hitachi Energy выпускаются на напряжение от 1700 до 6500 вольт в виде одиночных, двойных / фазовых ножек, IGBT с прерывателем и двойных диодных модулей. Мощные IGBT-модули HiPak отличаются низкими потерями в сочетании ...

блок транзисторов MOSFET
блок транзисторов MOSFET
RH6G040BG

Ток: 95 A
Напряжение: 40 V

... RH6G040BG - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и корпусом высокой мощности, подходящий для коммутации. Низкое сопротивление при включении Мощный малогабаритный пресс-пакет (HSMT8) Покрытие ...

Показать другие изделия
ROHM Semiconductor
транзистор БТИЗ
транзистор БТИЗ
STGB8NC60KDT4

Ток: 8 A
Напряжение: 600 V

... В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH™, что позволяет достичь превосходного компромисса между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя. Все характеристики Низкое падение ...

Показать другие изделия
STMicroelectronics
транзистор NPN
транзистор NPN
CMKT3920

Напряжение: 50, 60, 7 V

... ОСОБЕННОСТИ: - Компактный корпус ULTRAmini™, содержащий два NPN-транзистора 3920 ПРИМЕНЕНИЯ: - Переключение нагрузки - Усиление малых сигналов - Драйверы ламп и реле - Привод затвора МОП-транзистора ...

транзистор NPN
транзистор NPN
MM series

Ток: 100 mA
Напряжение: 60, 50 V

... Типовые применения Цифровые устройства управления Коммутация, обработка сигналов Коммерческий / промышленный класс Суффикс -Q: Соответствие требованиям AEC-Q101) Суффикс -AQ: в соответствии с квалификацией AEC-Q101 x) Характеристики Экономия ...

Показать другие изделия
Diotec
двухполюсный транзистор
двухполюсный транзистор
DMB series

Напряжение: 20, 50 V

... N-канальный МОП-транзистор и транзистор NPN в одном пакете Низкое сопротивление при включении Очень низкое пороговое напряжение ворот, макс. 1.0V Низкая входная емкость Скорость быстрого переключения ...

Показать другие изделия
Diodes Incorporated
блок транзисторов БТИЗ
блок транзисторов БТИЗ
RT200TL65A8H-S09

... Особенности: - Полевая остановка траншейного затвора IGBT - Номинальное короткое замыкание>10ps - - Низкое напряжение насыщения - Низкие потери при переключении - 100% RBSOA Tested (2*lc) - Низкая индуктивность рассеяния - Бессвинцовые, ...

Показать другие изделия
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
презентуйте свою продукцию

& связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год

Стать участником выставки