＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Ток: 95 A
Напряжение: 40 V
... RH6G040BG - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и корпусом высокой мощности, подходящий для коммутации. Низкое сопротивление при включении Мощный малогабаритный пресс-пакет (HSMT8) Покрытие ...
ROHM Semiconductor
Ток: 60 A
Напряжение: 150 V
... RS6R060BH - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и мощным корпусом, подходящий для коммутации Низкое сопротивление при включении Мощный корпус (HSOP8) Покрытие без Pb; соответствует ...
ROHM Semiconductor
Ток: 210 A
Напряжение: 40 V
... RS6G120BG - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения и мощным корпусом, подходящий для коммутации. Низкое сопротивление при включении Мощный корпус (HSOP8) Покрытие без Pb; соответствует ...
ROHM Semiconductor
Ток: 60 A
Напряжение: 100 V
... RS1P600BH - это силовой МОП-транзистор с низким сопротивлением включения, подходящий для коммутатора первичной стороны, приводов двигателей, DC/DC-преобразователей. Низкое включение - сопротивление Малый корпус для поверхностного ...
ROHM Semiconductor
Ток: 105 A
Напряжение: 750 V
... SCT4013DE - это SiC MOSFET, который способствует миниатюризации и низкому энергопотреблению приложений. Это изделие 4-го поколения, в котором достигнуто лучшее в отрасли низкое сопротивление включения без ущерба для времени устойчивости ...
ROHM Semiconductor
Ток: 81 A
Напряжение: 1 200 V
... SCT4018KE - это SiC MOSFET, который способствует миниатюризации и низкому энергопотреблению приложений. Это изделие 4-го поколения, в котором достигнуто лучшее в отрасли низкое сопротивление включения без ущерба для времени устойчивости ...
ROHM Semiconductor
Ток: 51 A
Напряжение: 750 V
... SCT4026DW7 представляет собой SiC (карбид кремния) траншейный МОП-транзистор. К его особенностям относятся высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление включения и высокая скорость переключения. Преимущества ...
ROHM Semiconductor
Ток: 75 A
Напряжение: 1 200 V
... SCT4018KW7 - это SiC (карбид кремния) траншейный МОП-транзистор. К его особенностям относятся высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление включения и высокая скорость переключения. Преимущества SiC MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Ток: 31 A
Напряжение: 750 V
... SCT4045DW7 - это SiC (карбид кремния) траншейный МОП-транзистор. К его особенностям относятся высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление включения и высокая скорость переключения. Преимущества SiC MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Ток: 24 A
Напряжение: 1 200 V
... SCT4062KW7 - это SiC (карбид кремния) траншейный МОП-транзистор. К его особенностям относятся высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление включения и высокая скорость переключения. Преимущества SiC MOSFET ...
ROHM Semiconductor
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось