＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Напряжение: 60 V
... Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN Области применения Данный продукт является изделием общего назначения и подходит для различных областей применения. ...
Onsemi
Ток: 15 A
Напряжение: 60 V - 120 V
... Биполярный силовой транзистор предназначен для мощных аудиоустройств, шаговых двигателей и других линейных приложений. Он также может использоваться в схемах коммутации питания, таких как драйверы реле или соленоидов, ...
Onsemi
Ток: 15 A
Напряжение: 60 V - 120 V
... Биполярный силовой транзистор предназначен для мощных аудиоустройств, шаговых двигателей и других линейных приложений. Он также может использоваться в схемах коммутации питания, таких как драйверы реле или соленоидов, ...
Onsemi
Ток: 10 A
Напряжение: 100 V
... Биполярный силовой транзистор предназначен для применения в усилителях и коммутаторах общего назначения, где требуется электрическая изоляция монтажной поверхности прибора от радиатора или шасси. Характеристики Изолированный литой корпус ...
Onsemi
Ток: 800 A
Напряжение: 1 200 V
... NXH800H120L7QDSG - это номинальный полумостовой IGBT-модуль питания. Встроенные IGBT с полевой остановкой Trench 7 и диоды 7-го поколения обеспечивают более низкие потери проводимости и коммутационные потери, позволяя разработчикам достичь высокой эффективности ...
Onsemi
Ток: 800 A
Напряжение: 1 200 V
... SNXH800H120L7QDSG - это номинальный полумостовой IGBT-модуль питания. Встроенные IGBT с полевой остановкой Trench 7 и диоды 7-го поколения обеспечивают более низкие потери проводимости и потери на переключение, позволяя разработчикам достичь высокой эффективности ...
Onsemi
Ток: 8 A
Напряжение: 600 V
... В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH™, что позволяет достичь превосходного компромисса между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя. Все характеристики Низкое падение напряжения включения ...
STMicroelectronics
Ток: 8 A
Напряжение: 600 V
... В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH™, в результате чего достигается превосходный компромисс между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя. Все характеристики Низкое падение напряжения ...
STMicroelectronics
Ток: 8 A
Напряжение: 600 V
... В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH™, в результате чего достигается превосходный компромисс между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя. Все характеристики Низкое падение напряжения ...
STMicroelectronics
Ток: 8 A
Напряжение: 600 V
... В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH™, в результате чего достигается превосходный компромисс между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя. Все характеристики Низкое падение напряжения ...
STMicroelectronics
Ток: 30 A
Напряжение: 600 V
... В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH, в результате чего достигается превосходный компромисс между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя. Все характеристики Низкое падение напряжения ...
STMicroelectronics
Ток: 0,8 A
Напряжение: 50 V
... Усиление постоянного тока hFE Макс. 400:400 Усиление постоянного тока hFE мин.: 160 Описание:TO-92, 50V, 0.8A, NPN биполярный транзистор IC (A):0.8 PD (W):0.625 Пакет:TO-92 Полярность:NPN Статус:Активный ТиДжей Макс. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...
Напряжение: 20, 50 V
... N-канальный МОП- транзистор и транзистор NPN в одном пакете Низкое сопротивление при включении Очень низкое пороговое напряжение ворот, макс. 1.0V Низкая входная емкость Скорость быстрого переключения Низкая утечка ...
Diodes Incorporated
Напряжение: 11 V
... 3.Единовременное усиление 2 ГГГц для радиочастотных коммутационных приложений - Полностью без свинца и полностью соответствует требованиям директивы RoHS (примечания 1 и 2) - Без галогенов и сурьмы. "Зеленый" прибор (Примечание 3) - Соответствие стандартам ...
Diodes Incorporated
Напряжение: 50, 60, 7 V
... ОСОБЕННОСТИ: - Компактный корпус ULTRAmini™, содержащий два NPN- транзистора 3920 ПРИМЕНЕНИЯ: - Переключение нагрузки - Усиление малых сигналов - Драйверы ламп и реле - Привод затвора МОП- транзистора ...
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки