Транзисторы для коммутации AMOT
& связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Ток: -16,4 A
Напряжение: -60 V
... корпусе
- Корпус: DPAK (TO-252)
Применение и позиционирование
- Подходит для коммутации P-канала, переключения нагрузок и управления питанием на плате, когда требуется P-канальный MOSFET в
Infineon Technologies AG
Ток: 40 A
Напряжение: 40 V
... Краткое описание
BSZ063N04LS6 — это силовой N‑канальный MOSFET OptiMOS 6 с номиналом 40 В, разработанный для SMPS, зарядных устройств и ORing‑применений. Обеспечивает примерно на 30% меньшее RDS(on) по сравнению с предыдущим поколением и соответствует ...
Infineon Technologies AG
Ток: 61 A
Напряжение: 600 V
... Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при жесткой коммутации корпусного ...
Infineon Technologies AG
Ток: 61 A
Напряжение: 600 V
... Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при жесткой коммутации корпусного ...
Infineon Technologies AG
Ток: 61 A
Напряжение: 600 V
... Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при жесткой коммутации корпусного ...
Infineon Technologies AG
Ток: 20 A
Напряжение: 600 V
... Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при жесткой коммутации корпусного ...
Infineon Technologies AG
Ток: 18 A
Напряжение: 600 V
... Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при жесткой коммутации корпусного ...
Infineon Technologies AG
Ток: 9 A
Напряжение: 600 V
... Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при жесткой коммутации корпусного ...
Infineon Technologies AG
Ток: 101 A
Напряжение: 600 V
... Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при жесткой коммутации корпусного ...
Infineon Technologies AG
Ток: 101 A
Напряжение: 600 V
... Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при жесткой коммутации корпусного ...
Infineon Technologies AG
& связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки- Список брендов
- Личный кабинет производителя
- Личный кабинет покупателя
- Наши услуги
- Подписка на новостную рассылку
- Информация о группе предприятий VirtualExpo