Транзисторы мощности

20 компании | 177 товаров
презентуйте свою продукцию

& связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год

Стать участником выставки
{{#pushedProductsPlacement4.length}} {{#each pushedProductsPlacement4}}
{{product.productLabel}}

{{product.productLabel}} {{product.model}}

{{#if product.featureValues}}
{{#each product.featureValues}} {{content}} {{/each}}
{{/if}}
{{#if product.productPrice }} {{#if product.productPrice.price }}

{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{/if}} {{/if}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement4.length}}
{{#pushedProductsPlacement5.length}} {{#each pushedProductsPlacement5}}
{{product.productLabel}}

{{product.productLabel}} {{product.model}}

{{#if product.featureValues}}
{{#each product.featureValues}} {{content}} {{/each}}
{{/if}}
{{#if product.productPrice }} {{#if product.productPrice.price }}

{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{/if}} {{/if}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement5.length}}
транзистор БТИЗ
транзистор БТИЗ
XPT™ series

Напряжение: 1 700, 2 500, 4 500 V

... Эти приборы, созданные по запатентованной технологии тонкой подложки XPT™ и по современному IGBT-технологическому процессу, обладают такими качествами, как пониженное тепловое сопротивление, низкий хвостовой ток, низкие потери энергии ...

двухполюсный транзистор
двухполюсный транзистор

... Компания Toshiba предлагает широкий спектр биполярных транзисторов, пригодных для различных применений, включая радиочастотные (РЧ) и устройства питания. ...

транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPD900P06NM

Ток: -16,4 A
Напряжение: -60 V

... P-канальные МОП-транзисторы обычного и логического уровня, снижающие сложность проектирования в приложениях средней и малой мощности Р-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ на 60 В в корпусе DPAK представляют собой новую технологию, предназначенную ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор БТИЗ
транзистор БТИЗ
5SN series

Ток: 150 A - 3 600 A
Напряжение: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V

... Силовые IGBT-модули Hitachi Energy выпускаются на напряжение от 1700 до 6500 вольт в виде одиночных, двойных / фазовых ножек, IGBT с прерывателем и двойных диодных модулей. Мощные IGBT-модули HiPak отличаются низкими потерями в сочетании ...

транзистор мощности
транзистор мощности
PDHS545-NB195-S03-T3

Ток: 5 A
Напряжение: 500 V

... Гнезда для силовых транзисторов 5.шаг 45 мм / 0,215 дюйма Высокая температура Низкое газовыделение Высоконадежный круглый контакт, обеспечивающий хорошие электрические и механические характеристики. Гнезда для тестирования силовых транзисторов ...

транзистор мощности
транзистор мощности
PDSA-NB195-S0504-GG

Ток: 5 A

... Гнезда для силовых транзисторов Для TO-247 (4pin) Высокая температура. ℃ Низкое газовыделение Эти тестовые гнезда для силовых транзисторов имеют корпус TO-247(4pin) и могут использоваться в высокотемпературных средах. А его высоконадежные круглые ...

транзистор мощности
транзистор мощности
M-L245-BK-T30-P

Ток: 5 A

... Гнезда для тестирования силовых транзисторов, индивидуальный шаг Сильный ток Шаг Стандартный тип/ Тип сквозного отверстия Низкое газовыделение Если вы хотите оценить устройство, которое не поддерживается стандартными спецификациями, ...

транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
700 V | TOPSwitch-HX

Напряжение: 110, 265 V

... Описание: TOPSwitch-HX включает в себя МОП-транзистор 700 В, источник тока высокого напряжения, ШИМ-управление, генератор, цепь теплового отключения, защиту от неисправностей и другие схемы управления на монолитном устройстве. Низкая ...

Показать другие изделия
Power Integrations
транзистор FET
транзистор FET

... Avago имеет обширный портфель кремниевых биполярных РФ транзисторов и GaAs FET Радиочастотные транзисторы GaAs FET идеально подходят для первого или второго каскада базовой станции LNA благодаря превосходному сочетанию низкого коэффициента ...

транзистор HEMT
транзистор HEMT
GNP1070TC-Z

Ток: 20 A
Напряжение: 650 V

... GNP1070TC-Z - 650-вольтовый GaN HEMT, достигший наивысшего в отрасли класса FOM (Ron*Ciss、Ron*Coss). Это продукт серии EcoGaN™, который способствует повышению эффективности преобразования мощности и уменьшению размеров за счет оптимального ...

Показать другие изделия
ROHM Semiconductor
транзистор БТИЗ
транзистор БТИЗ
RV1S series

... Автомобильные фотопары (транзисторный выход, выход ИС) выпускаются в малогабаритных корпусах с высокой диэлектрической прочностью (3,75 кВ) и высокотемпературным режимом работы до 135 °C. Это облегчает заказчику проектирование, включая ...

блок транзисторов мощности
блок транзисторов мощности
AFM906N

Напряжение: 7,5 V

... AFM906N предназначен для применения в портативных двухсторонних радиостанциях с частотами от 136 до 941 МГц. Высокий коэффициент усиления, прочность и широкополосные характеристики этого устройства делают его идеальным для применения ...

двухполюсный транзистор
двухполюсный транзистор
50A02CH

Ток: -0,5 A
Напряжение: -50 V

... 50A02CH - биполярный транзистор с низким VCE(sat), PNP Single, предназначенный для применения в низкочастотных усилителях общего назначения. Приложения Низкочастотный усилитель Высокоскоростное переключение Привод малогабаритного двигателя Схема ...

Показать другие изделия
Fairchild Semiconductor
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
L9338

Ток: 0,4 A - 45 A
Напряжение: 36 V - 70 V

... ST предлагает широкий ассортимент автомобильных интеллектуальных 3- и 5-полюсных низкочастотных переключателей (OMNIFET) на базе технологии VIPower (вертикальная интеллектуальная мощность). Эта запатентованная технология позволяет интегрировать ...

Показать другие изделия
STMicroelectronics
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IRF series

Напряжение: -400 V - 1 000 V

... Компания Vishay является мировым лидером в производстве маломощных МОП-транзисторов. Линейка силовых МОП-транзисторов Vishay Siliconix включает устройства в более чем 30 типов корпусов, в том числе линейки микросхем MICRO FOOT® и высокотехнологичные ...

двухполюсный транзистор
двухполюсный транзистор

Напряжение: 0,24 V - 3,5 V

двухполюсный транзистор
двухполюсный транзистор
BCX51

Напряжение: 45 V

... ОПИСАНИЕ: Типы ЦЕНТРАЛЬНЫХ СЕМИКОНДУКТОРОВ BCX51, BCX52 и BCX53 - это кремниевые транзисторы PNP Изготавливается по эпитаксиально-плоскостному процессу, эпоксидная форма в корпусе для поверхностного монтажа, предназначенном для применения ...

Показать другие изделия
Central Semiconductor
двухполюсный транзистор
двухполюсный транзистор

Ток: 1 A - 5 A
Напряжение: 12 V - 400 V

... Диоды являются лидером рынка в области биполярных транзисторов. Благодаря широкому ассортименту собственной упаковки и превосходной кремниевой технологии диоды идеально подходят для решения ваших задач, связанных с биполярными транзисторами. Постоянная ...

двухполюсный транзистор
двухполюсный транзистор
BFS20

Ток: 25 mA
Напряжение: 20 V

... Напряжение коллектор-эмиттер - Vceo 20 В Постоянный ток коллектора - Ic - 25 мА Полярность - pol - NPN Рассеиваемая мощность - Ptot - 0,200 Вт Температура спая - Tjmax - 150 °C Коэффициент усиления по постоянному току - hfe - 85 - VcE ...

Показать другие изделия
Diotec
блок транзисторов БТИЗ
блок транзисторов БТИЗ
RT25PI120B9H

Ток: 10, 25 A
Напряжение: 1 200 V

... Особенности Траншея + Файловая остановка IGBT-технологии Возможность короткого замыкания -10 кадров в секунду -(Версат) с положительным температурным коэффициентом -Низкая индуктивность корпуса -Быстрое и мягкое реверсивное восстановление ...

Показать другие изделия
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
транзистор БТИЗ
транзистор БТИЗ

Показать другие изделия
IXYS
блок транзисторов мощности
блок транзисторов мощности
HRC12

Напряжение: 8 V - 35 V

... Модуль Bluetooth является переходным модулем передачи данных между мобильным телефоном и генераторной установкой. Он соединен с контроллером генераторной установки через RS485. С помощью мобильного APP можно получать информацию о генераторной ...

презентуйте свою продукцию

& связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год

Стать участником выставки