Транзистор БТИЗ RGA60TS65HR
биполярный транзистор с изолированным затворомБТИЗfield stop IGBT

Транзистор БТИЗ - RGA60TS65HR - ROHM Semiconductor - биполярный транзистор с изолированным затвором / БТИЗ / field stop IGBT
Транзистор БТИЗ - RGA60TS65HR - ROHM Semiconductor - биполярный транзистор с изолированным затвором / БТИЗ / field stop IGBT
Транзистор БТИЗ - RGA60TS65HR - ROHM Semiconductor - биполярный транзистор с изолированным затвором / БТИЗ / field stop IGBT - изображение - 2
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению

Характеристики

Тип
БТИЗ, биполярный транзистор с изолированным затвором, БТИЗ, field stop IGBT
Тип
мощности, для коммутации
Другие характеристики
из кремния, для автомобильных технологий
Ток

34 A

Напряжение

650 V

Описание

Обзор
RGA60TS65HR — IGBT 4-го поколения с номиналом 650 В и полевой field-stop trench-структурой, оптимизированный для автомобильных вспомогательных систем и промышленных инверторов. Переработанная структура кристалла и терминатора кромки повышает плотность тока и снижает потери на проводимость и коммутацию, улучшая эффективность и надёжность. Соответствует AEC-Q101 и обеспечивает выдержку при коротком замыкании 7 μs при Tj = 25°C.

Краткое описание продукта
IGBT с низкими потерями при коммутации и проводимости, предназначенный для электрических компрессоров, HV-нагревателей и промышленных инверторов; сочетает низкие потери и высокую устойчивость к короткому замыканию.

Применение
  • Электрические компрессоры для автомобилей
  • HV-нагреватели для автомобилей (PTC, подогрев охлаждающей жидкости)
  • Инверторы для промышленного оборудования


Особенности
  • Квалификация по AEC-Q101 (автомобильный класс)
  • Время выдержки при коротком замыкании (tsc): 7 μs
  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (низкое VCE(sat))
  • Сниженные потери на коммутацию и проводимость
  • Безсвинцовая покрытие; соответствует RoHS


Технические характеристики
  • Артикул: RGA60TS65HRC11
  • Серия: A: For inverter (tsc 7-10 μs)
  • VCES (номинал): 650 В
  • IC (100°C): 34 А
  • VCE(sat) (тип.): 1,55 В
  • tf (тип.): 82 нс
  • tsc (мин.): 7 μs
  • Pd: 170 Вт
  • BV(CES) (мин.): 650 В
  • Температура хранения: -55 °C до 175 °C
  • Корпус: TO-247N
  • Тип упаковки: Tube
  • Количество в стандартной упаковке: 450
  • Минимальное количество в упаковке: 30
  • Размер корпуса: 21,0 x 16,0 мм (t = 5,2)
  • RoHS: Yes
  • Стандарт: AEC-Q101 (Automotive Grade)


Упаковка
Стандартный корпус TO-247N. Упаковка: трубная (Tube), стандартное количество 450 шт., минимальное количество 30 шт. Для правил обращения и теплового расчёта смотрите монтажные и упаковочные чертежи.

История разработки
В то время как SiC всё шире применяется в высоковольтных тяговых инверторах, 650V IGBT остаются востребованными в менее мощных вспомогательных системах. Этот продукт разработан для повышения энергоэффективности, уменьшения габаритов и улучшения устойчивости к коротким замыканиям в автомобильных и промышленных приложениях.

Каталоги

Для этого товара не доступен ни один каталог.

Посмотреть все каталоги ROHM Semiconductor

Салоны

Вы сможете встретиться с этим поставщиком на выставке(-ах)

electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 нояб. 2026 Munich (Германия) Зал C3 - Стенд 520

  • Дополнительная информация
    * Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.
    О DirectIndustry
    DirectIndustry — это торговая площадка, которая предлагает участникам B2B полный спектр услуг, от поиска продукции до покупки. DirectIndustry является частью VirtualExpo Group.