Чип с фотодиодом XSJ-10-APD4-55-01

Микросхема лавинного фотодиода (APD-чип) - это вид активного устройства, которое обеспечивает встроенный коэффициент усиления и усиливает фототок. Особенностью данного продукта является наличие анода сверху и катода сзади, размер активной области с верхним освещением составляет Φ55μm для легкой оптической сборки; высокая отзывчивость, высокий коэффициент умножения и низкий темновой ток. Высокопроизводительный чип APD на 2,5 Гбит/с и TIA в сочетании с TO-CAN могут улучшить чувствительность оптического приемника, что позволяет передавать данные в современных системах "волокно в дом" (FTTH). 1. Активная область Φ55 мкм. 2. Анод сверху и катод сзади. 3. Низкий темновой ток. 4. Отличная отзывчивость и высокий коэффициент усиления. 5. Скорость передачи данных до 2,5 Гбит/с. 6. Отличная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE. 7. 100% тестирование и проверка. Области применения 1. приемник 2,5 Гбит/с GPON/EPON ONU.