＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
... Этот чип фотодиода 25 Гбит/с, который является чипом PIN-фотодиода с верхней подсветкой и высокой скоростью передачи данных, с активной областью Φ32μm. Его характеристики имеют высокую отзывчивость, низкую емкость, низкий темновой ток ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Этот чип фотодиода 25 Гбит/с, который является чипом PIN-фотодиода с верхней подсветкой и высокой скоростью передачи данных, с активной областью Φ32μm. Его характеристики имеют высокую отзывчивость, низкую емкость, низкий темновой ток ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Этот чип фотодиода с высокой скоростью передачи данных 10 Гбит/с имеет структуру InGaAs/InP PIN и верхнюю подсветку. Особенности: высокая ответственность, низкая емкость, низкий темновой ток, размер активной области Φ50μm, анодная и катодная ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Этот чип фотодиода с высокой скоростью передачи данных 10 Гбит/с имеет структуру InGaAs/InP PIN и верхнюю подсветку. Особенности: высокая ответственность, низкая емкость, низкий темновой ток, размер активной области Φ50μm, анодная и катодная ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Этот чип лавинного фотодиода 25 Гбит/с (APD-чип) представляет собой разновидность электродной структуры Ground-Signal (GS), размер активной области с верхним освещением составляет Φ16 мкм. Особенностью данного продукта является высокое ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Эта микросхема мониторного PIN-фотодиода с краевой подсветкой InGaAs/InP с большой активной областью, которая представляет собой планарную структуру с анодом и двойным катодом сверху. Размер обнаруживаемой области составляет 100μmX80μm, ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Этот чип фотодиода 56GBaud, который является верхней подсветкой и меза структуры высокой скорости передачи данных PIN фотодиода чип, активная область размер Φ16μm. Его особенности имеют высокую отзывчивость, низкую емкость, низкий темновой ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... XSJ-10-EMPD-120R представляет собой чип мониторного PIN-фотодиода с краевой подсветкой InGaAs/InP, который имеет планарную структуру с анодным контактом и катодным контактом сверху. Размер детектируемой области фотодиода составляет 120μmX60μm, ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Этот чип мониторного PIN-фотодиода с верхней подсветкой InGaAs/InP имеет большую активную область, которая представляет собой планарную структуру с анодом сверху и катодом сзади. Размер активной области составляет Φ500μm, и высокая отзывчивость ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Микросхема лавинного фотодиода (APD-чип) - это вид активного устройства, которое обеспечивает встроенный коэффициент усиления и усиливает фототок. Особенностью данного продукта является анод сверху и катод сзади, с освещенной сверху активной ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Схемы интерполяции GC-IP201 и GC-IP201B используются для повышения разрешения инкрементных систем измерения положения и угла с синусоидальными выходными сигналами. Сигналы от этих инкрементных датчиков подвергаются внутренней регулировке ...
AMAC ASIC - und Mikrosensoranwendung Chemnitz GmbH
... Схема интерполяции GC-AIP40 используется для повышения разрешения инкрементных систем измерения положения и угла с синусоидальными выходными сигналами, сдвинутыми по фазе на 90°. ИС подходит для датчиков со стандартизированным интерфейсом ...
AMAC ASIC - und Mikrosensoranwendung Chemnitz GmbH
... Высокопроизводительный оптический головной передатчик для оптических модулей центров обработки данных на базе DSP со скоростью 1,6 Тбит/с Ключевые особенности Монолитно интегрированные лазер и модуляторы на основе кремниевой фотоники модуляторы ...
DFB многоквантовыйлазер Длина волны1310 ±10 нм Прямая модуляция свыше 25Гбит/с при превышении рабочей температуры Работа без охлаждения от –0 ° C до + 75 ° C Краевыйэмиттирующий лазер (EEL) Разработан для Telcordia GR-468 ...
Guilin GLSUN Science and Tech Group Co., Ltd
DFB многоквантовыйлазер Длина волны1270 нм /1290 нм /1310 нм /1330 нм ±10 нм. Прямая модуляция свыше 10 Гбит/с при превышении рабочей температуры Работа без охлаждения от –40 °C до + 85 °C Краевыйэмиттирующий лазер (EEL) Разработан ...
Guilin GLSUN Science and Tech Group Co., Ltd
... - Большое окно обнаружения - Высокая чувствительность - Низкий темновой ток и низкая емкость Области применения - Мониторинг оптической мощности задней грани ...
Guilin GLSUN Science and Tech Group Co., Ltd
... Лазер с распределенной обратной связью на нескольких квантовых ямах Прямая модуляция до 25 Гбит/с при рабочей температуре Работа в неохлаждаемом режиме от -20°C до +75°C Разработан для стандарта Telcordia GR-468 Области применения 5G, ...
Guilin GLSUN Science and Tech Group Co., Ltd
... -Высокая отзывчивость -Низкий темновой ток и низкая емкость Области применения - P2P / PON - Датаком ...
Guilin GLSUN Science and Tech Group Co., Ltd
... Монолитная КМОП интегральная схема преобразует входные синусоидальные и косинусоидальные сигналы, а также аналоговый опорный сигнал в цифровые сигналы с регулируемым коэффициентом деления (1, 2, 3, 4, 5, 8, 10). Ширина импульса опорного ...
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось