Чип с фотодиодом XSJ-10-D6-32

Этот чип фотодиода 25 Гбит/с, который является чипом PIN-фотодиода с верхней подсветкой и высокой скоростью передачи данных, с активной областью Φ32μm. Его характеристики имеют высокую отзывчивость, низкую емкость, низкий темновой ток и отличную надежность, в основном в сочетании с высокопроизводительными 25 Гбит/с трансимпедансными усилителями (TIA), применение в дальних приложениях, высокая скорость передачи данных до 25 Гбит/с с одномодовым волоконно-оптическим приемником. 1. Активная область Φ32μm. 2. Меза-структура, площадка для связи земля-сигнал-земля (GSG) сверху. 3. Низкий темновой ток, низкая емкость. 4. Высокая ответственность. 5. Типовая полоса пропускания: 16 ГГц. 6. Превосходная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями 7. Telcordia-GR-468-CORE. 8. 100% тестирование и проверка. 9. Соответствие стандарту RoHS2.0 (2011/65/EU). Применение 1. передача данных со скоростью 25 Гбит/с. 2. беспроводная связь 5G.