Чип с фотодиодом XSJ-10-APD6-16

Этот чип лавинного фотодиода 25 Гбит/с (APD-чип) представляет собой разновидность электродной структуры Ground-Signal (GS), размер активной области с верхним освещением составляет Φ16 мкм. Особенностью данного продукта является высокое умножение, низкая емкость, высокая пропускная способность, низкий температурный коэффициент и отличная надежность, применение в 25G EPON, 5G Wireless и 100GBASE-ER4. 1. Активная область Φ16μm. 2. Высокое умножение. 3. Высокая скорость передачи данных: 25 Гбит/с. 4. Низкая емкость. 5. Низкий температурный коэффициент. 6. Отличная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE. 7. 100% тестирование и проверка. Области применения 1. 25 Гбит/с PON 2. 100GBASE-ER4（ER4-lite） 3. беспроводная связь 5G.