- Электричество - Электроника
- Электронный компонент
- Чип с фотодиодом
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Чип с фотодиодом XSJ-10-D6-20InGaAsInP
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
Характеристики
- Спецификации
- с фотодиодом, InP, InGaAs
Описание
Этот чип фотодиода с высокой скоростью передачи данных 10 Гбит/с имеет структуру InGaAs/InP PIN и верхнюю подсветку. Особенности: высокая ответственность, низкая емкость, низкий темновой ток, размер активной области Φ50μm, анодная и катодная связующая площадка сверху для проводного соединения в корпусе TO-CAN. Применение в приемнике 10 Гбит/с.
1. Активная область Φ20μm.
2. Сверху расположена структура связки земля-сигнал-земля (GSG).
3. Низкий темновой ток, низкая емкость, высокая ответственность.
4. Скорость передачи данных до 25 Гбит/с.
5. Превосходная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100% тестирование и проверка.
7. Соответствие стандарту RoHS2.0 (2011/65/EU).
Применение
1. 100 Gigabit Ethernet
2. аналоговые каналы связи 20 ГГц.
3. Высокоскоростные испытания и измерения.
---
Другие изделия PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
5G/4G Communication Applications
* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.