Фотодиод InGaAs XSJ-10-APD5-40S-X
лавинныйPIN

фотодиод InGaAs
фотодиод InGaAs
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Спецификации
InGaAs, лавинный
Монтаж
PIN

Описание

Описание Микросхема оптического детектора 10 Гбит/с APD представляет собой электродную структуру GSG, для фронтального включения в свет высокоскоростного лавинного детектора света, размер светочувствительной области составляет 40um, основными характеристиками изделия являются высокий множитель, низкая емкость, высокая пропускная способность, низкий температурный коэффициент и высокая надежность, в основном используется в оптических приемниках 10G SONET/SDH и 10G PON. Характеристики 1. Активная область Φ40 мкм. 2. Высокая кратность. 3. Низкий температурный коэффициент. 4. 100% тестирование и контроль. 5. Отличная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE. 6. Соответствие стандарту RoHS2.0 (2011/65/EU). Области применения 1. 10G EPON. 2. XGS Comb PON.

---

Каталоги

Для этого товара не доступен ни один каталог.

Посмотреть все каталоги PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.