Лавинный фотодиод XSJ10-APD4-50T

PIN

Описание Микросхема лавинного фотодиода (APD-чип) представляет собой активный прибор, обеспечивающий встроенный коэффициент усиления и усиливающий фототок. Особенностью данного продукта является наличие анода сверху и катода сзади, размер активной области с верхней подсветкой составляет Φ50 мкм, что упрощает оптическую сборку; высокая чувствительность, высокий коэффициент умножения и низкий темновой ток. Высокопроизводительный 2,5 Гбит/с APD-чип и TIA в сочетании с TO-CAN могут улучшить чувствительность оптического приемника, что позволяет использовать их для передачи данных в современных системах "волокно - дом" (FTTH). Характеристики 1. Активная область Φ50 мкм. 2. Анод расположен сверху, а катод - сзади. 3. Низкий темновой ток. 4. Отличная отзывчивость и высокий коэффициент усиления. 5. 100% тестирование и проверка. 6. Отличная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE. 7. Соответствие стандарту RoHS2.0 (2011/65/EU). Области применения 1. приемник 2,5 Гбит/с GPON/EPON OLT (класс C+).