Фотодиод InGaAs XSJ-10-APD4-50

лавинныйPIN

Описание Лавинный фотодиодный чип (APD чип) является своего рода активным устройством, которое обеспечивает встроенный коэффициент усиления и усиливает фототок. Особенностью данного продукта является анод сверху и катод сзади, размер активной области с верхним освещением составляет Φ50μm для легкой оптической сборки; высокая отзывчивость, высокий коэффициент умножения и низкий темновой ток. Высокопроизводительный 3,5 Гбит/с APD чип и TIA в сочетании TO-CAN могут улучшить чувствительность оптического приемника, применение в пассивной оптической сети (PON) передачи. Характеристики Активная область Φ50μm. Анод сверху и катод сзади. Низкий темновой ток. Отличная отзывчивость и высокий коэффициент усиления. Скорость передачи данных до 3,5 Гбит/с. Отличная надежность: Все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Соответствие стандарту RoHS2.0 (2011/65/EU). Применение 3.пассивная оптическая сеть (PON) 5 Гбит/с.