Чип PON XSJ-10-APD4-50

с фотодиодом

Лавинный фотодиод (APD чип) является своего рода активным устройством, которое обеспечивает встроенный коэффициент усиления и усиливает фототок. Особенностью данного продукта является наличие анода сверху и катода сзади, размер активной области с верхним освещением составляет Φ50μm для легкой оптической сборки; высокая отзывчивость, высокий коэффициент умножения и низкий темновой ток. Высокопроизводительный чип APD 3,5 Гбит/с и TIA в сочетании с TO-CAN могут улучшить чувствительность оптического приемника, применяемого в пассивных оптических сетях (PON). 1. Активная область Φ50μm. 2. Анод сверху и катод сзади. 3. Низкий темновой ток. 4. Отличная отзывчивость и высокий коэффициент усиления. 5. Скорость передачи данных до 3,5 Гбит/с. 6. Отличная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE. 7. 100% тестирование и проверка. 8. Соответствие стандарту RoHS2.0 (2011/65/EU). Применение 1. 3.пассивная оптическая сеть (PON) 5 Гбит/с.