- Электричество - Электроника
- Электронный компонент
- Чип с фотодиодом
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Чип PON XSJ-10-APD5-40с фотодиодом
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
Характеристики
- Спецификации
- с фотодиодом, PON
Описание
Этот чип лавинного фотодиода (APD-чип) на 10 Гбит/с представляет собой электродную структуру типа "земля-сигнал-земля" (GSG), размер активной области с верхним освещением составляет Φ40 мкм. Особенностью данного продукта является высокое умножение, низкая емкость, высокая пропускная способность, низкий температурный коэффициент и отличная надежность, применение в оптических приемниках 10G SONET/SDH и 10G PON.
1. активная область 40 мкм.
2. Высокое умножение.
3. Высокая скорость передачи данных.
4. Низкий температурный коэффициент.
5. Превосходная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100% тестирование и проверка.
Области применения
10G SONET/SDH
10G PON
---
Каталоги
Для этого товара не доступен ни один каталог.
Посмотреть все каталоги PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.Другие изделия PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Access Network Applications
* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.